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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta），34A（Tc） 890mW（Ta），20W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4945NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4945NTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.6A（Ta） 1.43W（Ta） 8-SOP
  
  型号：DMG8880LSS-13
  仓库库存编号：DMG8880LSS-13DICT-ND
  别名：DMG8880LSS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4959N-1G
  仓库库存编号：NTD4959N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4959N-35G
  仓库库存编号：NTD4959N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4959NH-1G
  仓库库存编号：NTD4959NH-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4959NH-35G
  仓库库存编号：NTD4959NH-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4959NHT4G
  仓库库存编号：NTD4959NHT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），58A（Tc） 1.3W（Ta），52W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4959NT4G
  仓库库存编号：NTD4959NT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 8.1A（Ta），44A（Tc） 1.1W（Ta），35.7W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4963N-35G
  仓库库存编号：NTD4963N-35GOS-ND
  别名：NTD4963N-35G-ND
  NTD4963N-35GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5A（Ta），32A（Tc） 860mW（Ta），33.8W（Tc） 8-WDFN（3x3）
  
  型号：NTTFS4800NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4800NTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.6A（Ta），26A（Tc） 840mW（Ta），27.8W（Tc） 8-WDFN（3x3）
  
  型号：NTTFS4840NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4840NTWG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A SSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100mA（Ta） 200mW（Ta） SSM
  
  型号：SSM3K15FS,LF
  仓库库存编号：SSM3K15FSLFCT-ND
  别名：SSM3K15FS(T5LFT)CT
  SSM3K15FS(T5LFT)CT-ND
  SSM3K15FS(TE85LF)CT
  SSM3K15FS(TE85LF)CT-ND
  SSM3K15FSLFCT
  SSM3K15FST5LFTCT
  SSM3K15FST5LFTCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.9A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K303T(TE85L,F)
  仓库库存编号：SSM3K303T(TE85LF)CT-ND
  别名：SSM3K303T(TE85LF)CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8001-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8001-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8001-H(TE12LQMCT
  TPCC8001HTE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8002-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8002-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8002-H(TE12LQMCT
  TPCC8002HTE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8003-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8003-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8003-H(TE12LQMCT
  TPCC8003HTE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 26A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8005-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8005-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8005-H(TE12LQMCT
  TPCC8005HTE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8006-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8006-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8006-H(TE12LQMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8A01-H(TE12LQM
  仓库库存编号：TPCC8A01-H(TE12LQMCT-ND
  别名：TPCC8A01-H(TE12LQMCT
  TPCC8A01HTE12LQM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8004(TE85L,F)
  仓库库存编号：TPCP8004(TE85LF)CT-ND
  别名：TPCP8004(TE85LF)CT
  TPCP8004TE85LF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET P-CH 30V 40A LFPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 40A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT1072H-EL-E
  仓库库存编号：HAT1072H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Ta） DP
  
  型号：TK40P03M1(T6RSS-Q)
  仓库库存编号：TK40P03M1(T6RSS-Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS105N03FU6TB
  仓库库存编号：RSS105N03FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS120N03FU6TB
  仓库库存编号：RSS120N03FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A, 3.5A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SP8M6FU6TB
  仓库库存编号：SP8M6FU6TB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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