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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE830DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE830DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE830DF-T1-E3CT
  SIE830DFT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK? (2x5)
  
  型号：SIF912EDZ-T1-E3
  仓库库存编号：SIF912EDZ-T1-E3CT-ND
  别名：SIF912EDZ-T1-E3CT
  SIF912EDZT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 385mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：TP0202K-T1-E3
  仓库库存编号：TP0202K-T1-E3CT-ND
  别名：TP0202K-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDFS2P753AZ
  仓库库存编号：FDFS2P753AZCT-ND
  别名：FDFS2P753AZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 45A（Ta） 65W（Tc） TO-220SM
  
  型号：2SK3127(TE24L,Q)
  仓库库存编号：2SK3127(TE24L,Q)-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），41W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8692
  仓库库存编号：FDMS8692CT-ND
  别名：FDMS8692CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8660AS
  仓库库存编号：FDMS8660ASCT-ND
  别名：FDMS8660ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 28A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8662
  仓库库存编号：FDMS8662CT-ND
  别名：FDMS8662CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 23A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 23A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8670AS
  仓库库存编号：FDMS8670ASCT-ND
  别名：FDMS8670ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），70W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8672AS
  仓库库存编号：FDMS8672ASCT-ND
  别名：FDMS8672ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 17A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），21A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8674
  仓库库存编号：FDMS8674CT-ND
  别名：FDMS8674CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 16A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC8676
  仓库库存编号：FDMC8676CT-ND
  别名：FDMC8676CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC8678S
  仓库库存编号：FDMC8678SCT-ND
  别名：FDMC8678SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta） 2.5W（Ta） 20-FLFBGA（3.5x4.0）
  
  型号：FDZ4670S
  仓库库存编号：FDZ4670SCT-ND
  别名：FDZ4670SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），107W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4804N-1G
  仓库库存编号：NTD4804N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），107W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4804N-35G
  仓库库存编号：NTD4804N-35GOS-ND
  别名：NTD4804N-35G-ND
  NTD4804N-35GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），93.75W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4804NA-1G
  仓库库存编号：NTD4804NA-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 14.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 14.5A（Ta），124A（Tc） 1.43W（Ta），93.75W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4804NA-35G
  仓库库存编号：NTD4804NA-35G-ND
  
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 12.7A（Ta），95A（Tc） 1.41W（Ta），79W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4805N-1G
  仓库库存编号：NTD4805N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 12.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 12.7A（Ta），95A（Tc） 1.41W（Ta），79W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4805N-35G
  仓库库存编号：NTD4805N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），68W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4806N-1G
  仓库库存编号：NTD4806N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） 1.4W（Ta），68W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4806N-35G
  仓库库存编号：NTD4806N-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4806NA-1G
  仓库库存编号：NTD4806NA-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 11A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD4806NA-35G
  仓库库存编号：NTD4806NA-35G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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  MOSFET N-CH 30V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.3A（Ta），79A（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4806NAT4G
  仓库库存编号：NTD4806NAT4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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