产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
DMN3032LE-13
仓库库存编号:
DMN3032LE-13DICT-ND
别名:DMN3032LE-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.9A(Tc) 830mW(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSH108,215
仓库库存编号:
1727-4925-1-ND
别名:1727-4925-1
568-6216-1
568-6216-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRL6342TRPBF
仓库库存编号:
IRL6342TRPBFCT-ND
别名:IRL6342TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4842
仓库库存编号:
785-1064-1-ND
别名:785-1064-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.16A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2306BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2306BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2306BDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 590mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1900DL-T1-E3
仓库库存编号:
SI1900DL-T1-E3CT-ND
别名:SI1900DL-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
型号:
SI3552DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3552DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3552DV-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4449
仓库库存编号:
785-1199-1-ND
别名:785-1199-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) 8-PowerPak? ChipFet(3x1.9)
型号:
SI5419DU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5419DU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5419DU-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8884
仓库库存编号:
FDS8884CT-ND
别名:FDS8884CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A SC-70
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA400EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA400EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA400EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.16A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2306BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2306BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2306BDS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),39A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC120N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC120N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC120N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC120N03MSGINCT
BSC120N03MSGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 1.25W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2316BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2316BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2316BDS-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC658P
仓库库存编号:
FDC658PCT-ND
别名:FDC658PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8878
仓库库存编号:
FDS8878CT-ND
别名:FDS8878CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 38.3A(Tc) 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SISA18ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISA18ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SISA18ADN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)
型号:
QS6K1TR
仓库库存编号:
QS6K1CT-ND
别名:QS6K1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 12A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4407A
仓库库存编号:
785-1022-1-ND
别名:785-1022-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.8A 2.3W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4936CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4936CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4936CDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.6A(Ta) 700mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJS4114NT1G
仓库库存编号:
NTLJS4114NT1GOSCT-ND
别名:NTLJS4114NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 1.25W(Ta),1.66W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2316BDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2316BDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2316BDS-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 0.245A WDFN6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 245mA 755mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
型号:
NVLJD4007NZTAG
仓库库存编号:
NVLJD4007NZTAGOSCT-ND
别名:NVLJD4007NZTAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8880
仓库库存编号:
FDS8880CT-ND
别名:FDS8880CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),35A(Tc) 2.1W(Ta),25W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ130N03LS G
仓库库存编号:
BSZ130N03LSGINCT-ND
别名:BSZ130N03LSGINCT
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