产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 45A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB45P03P4L11ATMA1
仓库库存编号：
IPB45P03P4L11ATMA1-ND
别名：SP000396276
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 64A（Tc） 94W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3103STRLPBF
仓库库存编号：
IRL3103STRLPBF-ND
别名：SP001552534
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 29A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 29A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0501NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0501NSIATMA1-ND
别名：SP001288140
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.9A（Ta） 2.35W（Ta） 8-SO
型号：
BSO303SPNTMA1
仓库库存编号：
BSO303SPNTMA1TR-ND
别名：BSO303SPT
BSO303SPXTINTR
BSO303SPXTINTR-ND
SP000014019
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AUIRF9952QTR
仓库库存编号：
AUIRF9952QTR-ND
别名：SP001517940
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0924NDIATMA1
仓库库存编号：
BSC0924NDIATMA1-ND
别名：SP000934750
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 25A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 25A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0501NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0501NSIATMA1-ND
别名：SP001281638
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0923NDIATMA1
仓库库存编号：
BSC0923NDIATMA1-ND
别名：SP000934758
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7834TRPBF
仓库库存编号：
IRF7834PBFTR-ND
别名：IRF7834PBFTR
IRF7834TRPBF-ND
IRF7834TRPBFTR-ND
SP001563774
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名：IPB80P03P4L-07
IPB80P03P4L-07-ND
SP000396288
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 28A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC020N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC020N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC020N03LS GCT
BSC020N03LS GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP80P03P4L07AKSA1
仓库库存编号：
IPP80P03P4L07AKSA1-ND
别名：IPP80P03P4L-07
IPP80P03P4L-07-ND
SP000396392
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3709STRLPBF-ND
别名：SP001559576
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N03S4L02ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N03S4L02ATMA1TR-ND
别名：IPB80N03S4L-02
IPB80N03S4L-02-ND
IPB80N03S4L-02INTR
IPB80N03S4L-02INTR-ND
SP000273282
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8103VPBF
仓库库存编号：
IRLR8103VPBF-ND
别名：SP001567340
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP042N03LGHKSA1
仓库库存编号：
IPP042N03LGHKSA1-ND
别名：SP000256161
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 87A（Tc） 79W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709ZSTRRPBF
仓库库存编号：
IRF3709ZSTRRPBF-ND
别名：SP001563134
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 120A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N03S4L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N03S4L03ATMA1-ND
别名：SP000936514
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号：
AUIRF7303QTR
仓库库存编号：
AUIRF7303QTR-ND
别名：SP001521078
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 5.8A, 4.3A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号：
AUIRF7379QTR
仓库库存编号：
AUIRF7379QTR-ND
别名：SP001520160
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7463TRPBF
仓库库存编号：
IRF7463PBFTR-ND
别名：IRF7463PBFTR
IRF7463TRPBF-ND
IRF7463TRPBFTR-ND
SP001551388
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80P03P4L07AKSA1
仓库库存编号：
IPI80P03P4L07AKSA1-ND
别名：IPI80P03P4L-07
IPI80P03P4L-07-ND
SP000396320
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 35A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0500NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0500NSIATMA1-ND
别名：SP001288136
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0500NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0500NSIATMA1-ND
别名：SP001288150
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号：
AUIRF7316QTR
仓库库存编号：
AUIRF7316QTR-ND
别名：SP001518472
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