产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta） 2.1W（Ta） PG-TDSON-8
型号：
BSZ0589NSATMA1
仓库库存编号：
BSZ0589NSATMA1-ND
别名：SP001586396
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S2L10ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L10ATMA1TR-ND
别名：IPD30N03S2L-10
IPD30N03S2L-10-ND
SP000254465
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC042N03L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC042N03L3X1SA1-ND
别名：SP000448976
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 21A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），72A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0504NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0504NSIATMA1-ND
别名：SP001288146
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.4A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO200P03SHXUMA1
仓库库存编号：
BSO200P03SHXUMA1TR-ND
别名：BSO200P03S H
BSO200P03S H-ND
SP000613850
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO040N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO040N03MSGXUMA1TR-ND
别名：BSO040N03MS G
BSO040N03MS G-ND
SP000446070
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO080P03NS3EGXUMA1
仓库库存编号：
BSO080P03NS3EGXUMA1CT-ND
别名：BSO080P03NS3E GCT
BSO080P03NS3E GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO080P03NS3GXUMA1
仓库库存编号：
BSO080P03NS3GXUMA1CT-ND
别名：BSO080P03NS3 GCT
BSO080P03NS3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD050N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD050N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD050N03LGINCT
IPD050N03LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD050N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD050N03LGBTMA1-ND
别名：SP000254716
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD040N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD040N03LGBTMA1-ND
别名：SP000254715
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），88A（Tc） 2.5W（Ta），36W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0503NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0503NSIATMA1-ND
别名：SP001288144
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50P03P4L11ATMA1
仓库库存编号：
IPD50P03P4L11ATMA1TR-ND
别名：IPD50P03P4L-11
IPD50P03P4L-11-ND
IPD50P03P4L-11INTR
IPD50P03P4L-11INTR-ND
SP000396290
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC055N03L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC055N03L3X1SA1-ND
别名：SP000448980
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 7.2A 8DSO
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.2A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO303SPHXUMA1
仓库库存编号：
BSO303SPHXUMA1CT-ND
别名：BSO303SP HCT
BSO303SP HCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14.9A（Ta），78.6A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC084P03NS3EGATMA1
仓库库存编号：
BSC084P03NS3EGATMA1TR-ND
别名：BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3E G-ND
BSC084P03NS3E GTR-ND
SP000473012
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），36W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0503NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0503NSIATMA1-ND
别名：SP001288156
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N03S207ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N03S207ATMA1TR-ND
别名：IPD50N03S2-07
IPD50N03S2-07-ND
SP000254462
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB055N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPB055N03LGATMA1TR-ND
别名：IPB055N03L G
IPB055N03LGINTR
IPB055N03LGINTR-ND
IPB055N03LGXT
SP000304110
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 15A TISON8
详细描述：Mosfet Array 2 N Channel (Dual Buck Chopper) 30V 15A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
型号：
BSC0925NDATMA1
仓库库存编号：
BSC0925NDATMA1-ND
别名：SP000934752
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 26A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta）, 43W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0502NSIATMA1
仓库库存编号：
BSC0502NSIATMA1-ND
别名：SP001288142
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8103VTRPBF
仓库库存编号：
IRLR8103VPBFTR-ND
别名：IRLR8103VPBFTR
SP001558514
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta）, 43W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ0502NSIATMA1
仓库库存编号：
BSZ0502NSIATMA1-ND
别名：SP001288154
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD031N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD031N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236957
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 80A（Tc） 88W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80P03P4L07ATMA1
仓库库存编号：
IPD80P03P4L07ATMA1TR-ND
别名：IPD80P03P4L-07
IPD80P03P4L-07-ND
IPD80P03P4L-07INTR
IPD80P03P4L-07INTR-ND
SP000396296
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