产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.3A TSOP-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.3A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL305SPEH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL305SPEH6327XTSA1-ND
别名：SP000953150
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.1A（Ta） 2W（Ta） P-TSOP6-6
型号：
BSL302SNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL302SNH6327XTSA1-ND
别名：SP001100662
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 2A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL308PEH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL308PEH6327XTSA1-ND
别名：SP001101004
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6.3A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
型号：
BSL303SPEH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL303SPEH6327XTSA1-ND
别名：SP000953144
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC022N03L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC022N03L3X1SA1-ND
别名：SP000904026
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta），63A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC0906NSATMA1
仓库库存编号：
BSC0906NSATMA1CT-ND
别名：BSC0906NSCT
BSC0906NSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.6W（Ta），20W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8342TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8342TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8342TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD090N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD090N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236950
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD40N03S4L08ATMA1
仓库库存编号：
IPD40N03S4L08ATMA1-ND
别名：SP000475916
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Ta），39.6A（Tc） 2.1W（Ta），40W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ180P03NS3GATMA1
仓库库存编号：
BSZ180P03NS3GATMA1TR-ND
别名：BSZ180P03NS3 G
BSZ180P03NS3 G-ND
SP000709744
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），52W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ120P03NS3EGATMA1
仓库库存编号：
BSZ120P03NS3EGATMA1TR-ND
别名：BSZ120P03NS3E G
BSZ120P03NS3E G-ND
SP000709730
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9392TRPBF
仓库库存编号：
IRF9392TRPBF-ND
别名：SP001554514
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9410TRPBF
仓库库存编号：
IRF9410PBFTR-ND
别名：IRF9410PBFTR
IRF9410TRPBF-ND
IRF9410TRPBFTR-ND
SP001551686
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC028N03L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC028N03L3X1SA1-ND
别名：SP000555720
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.7W（Ta），28W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8334TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8334TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8334TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
型号：
BSO110N03MSGXUMA1
仓库库存编号：
BSO110N03MSGXUMA1TR-ND
别名：BSO110N03MS G
BSO110N03MS G-ND
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINTR-ND
SP000446062
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.1W（Ta） PG-TDSON-8
型号：
BSZ0994NSATMA1
仓库库存编号：
BSZ0994NSATMA1-ND
别名：SP001586402
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9332TRPBF
仓库库存编号：
IRF9332TRPBF-ND
别名：SP001565710
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8714GTRPBF
仓库库存编号：
IRF8714GTRPBFTR-ND
别名：IRF8714GTRPBFTR
SP001570678
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta） 2.7W（Ta），33W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8330TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8330TRPBFCT-ND
别名：IRFHM8330TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF9956TRPBF
仓库库存编号：
IRF9956PBFTR-ND
别名：IRF9956PBFTR
IRF9956TRPBF-ND
IRF9956TRPBFTR-ND
SP001565688
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF8721GTRPBF
仓库库存编号：
IRF8721GTRPBFTR-ND
别名：IRF8721GTRPBFTR
SP001565746
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD075N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD075N03LGBTMA1-ND
别名：SP000249747
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 22A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB22N03S4L15ATMA1
仓库库存编号：
IPB22N03S4L15ATMA1TR-ND
别名：IPB22N03S4L-15
IPB22N03S4L-15-ND
IPB22N03S4L-15INTR
IPB22N03S4L-15INTR-ND
SP000275308
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 56W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD060N03LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD060N03LGBTMA1-ND
别名：SP000236948
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