产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），210A（Tc） 1.06W（Ta），104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4933NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4933NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.7A, 14.2A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
NTMFD4C88NT1G
仓库库存编号：
NTMFD4C88NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 120A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） TO-263
型号：
SQM120N03-1M5L_GE3
仓库库存编号：
SQM120N03-1M5L_GE3-ND
别名：SQM120N03-1M5L-GE3
SQM120N03-1M5L-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta），156A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP8870
仓库库存编号：
FDP8870-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A, 8.2A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS6994S
仓库库存编号：
FDS6994SFSCT-ND
别名：FDS6994SFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7880ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7880ADP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.7A, 14.9A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
NTMFD4C87NT3G
仓库库存编号：
NTMFD4C87NT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.7A, 14.9A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
NTMFD4C87NT1G
仓库库存编号：
NTMFD4C87NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C020NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4C020NT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 47A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C01NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4C01NT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 20A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
型号：
STK800
仓库库存编号：
497-5123-1-ND
别名：497-5123-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C020NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C020NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 47A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Ta），303A（Tc） 3.2W（Ta）, 134W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C01NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C01NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SMM2348ES-T1-GE3
仓库库存编号：
SMM2348ES-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Microsemi Corporation
N CHANNEL JFET
详细描述：JFET N-Channel 30V 300mW Through Hole TO-72
型号：
2N3823
仓库库存编号：
2N3823-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Microsemi Corporation
P CHANNEL JFET
详细描述：JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
型号：
2N5114
仓库库存编号：
2N5114MS-ND
别名：2N5114MS
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Microsemi Corporation
P CHANNEL JFET
详细描述：JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
型号：
2N5115
仓库库存编号：
2N5115MS-ND
别名：2N5115MS
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Microsemi Corporation
P CHANNEL JFET
详细描述：JFET P-Channel 30V 500mW Surface Mount UB
型号：
2N5115UB
仓库库存编号：
2N5115UB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Microsemi Corporation
N CHANNEL JFET
详细描述：JFET N-Channel 30V 360mW Through Hole TO-18
型号：
2N4859
仓库库存编号：
2N4859-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Microsemi Corporation
N CHANNEL JFET
详细描述：JFET N-Channel 30V 360mW Through Hole TO-18
型号：
2N4860
仓库库存编号：
2N4860-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
含铅
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Central Semiconductor Corp
JFET N-CH AMP CHIP FORM
详细描述：JFET N-Channel 30V Surface Mount Die
型号：
CP210-2N4416-CT
仓库库存编号：
CP210-2N4416-CT-ND
别名：CP2102N4416CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.4A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
型号：
BSD316SNH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSD316SNH6327XTSA1-ND
别名：BSD316SN H6327
BSD316SN H6327-ND
SP000917668
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT363
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.5A（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT363-6
型号：
BSD314SPEH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSD314SPEH6327XTSA1-ND
别名：SP000917658
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC014N03L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC014N03L3X1SA1-ND
别名：SP000454346
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 30V,
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6TSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.5A 500mW Surface Mount PG-TSOP6-6
型号：
BSL314PEH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSL314PEH6327XTSA1-ND
别名：SP001101006
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