产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.3A(Ta),34A(Tc) 2.8W(Ta),37W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
IRFHM7194TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM7194TRPBF-ND
别名:SP001565966
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Ta),128A(Tc) 3.9W(Ta),156W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7184TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7184TRPBF-ND
别名:SP001570944
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 15A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Ta),82A(Tc) 3.6W(Ta),104W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7190TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7190TRPBF-ND
别名:SP001560410
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP06CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP06CN10NGXKSA1-ND
别名:SP000680822
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP12CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP12CN10NGXKSA1-ND
别名:SP000680866
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP35CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP35CN10NGXKSA1-ND
别名:SP000680926
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Ta),105A(Tc) 3.8W(Ta),132W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7187TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7187TRPBF-ND
别名:SP001566852
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 100V 23A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Ta),157A(Tc) 4W(Ta), 195W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7182TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7182TRPBF-ND
别名:SP001556394
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 11A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 11A(Ta),35A(Tc) 3.6W(Ta),39W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7194TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7194TRPBFCT-ND
别名:IRFH7194TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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