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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD122N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD122N10N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD122N10N3 GCT
  IPD122N10N3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD180N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD180N10N3GBTMA1CT-ND
  别名：IPD180N10N3 GCT
  IPD180N10N3 GCT-ND
  IPD180N10N3GBTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169L6906HTSA1
  仓库库存编号：BSS169L6906HTSA1CT-ND
  别名：BSS169 L6906CT
  BSS169 L6906CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 11A（Ta），58A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7110TR2PBF
  仓库库存编号：IRFH7110TR2PBFCT-ND
  别名：IRFH7110TR2PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 375W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS4010
  仓库库存编号：AUIRFS4010-ND
  别名：SP001522400
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 190A（Tc） 380W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRFS4010-7P
  仓库库存编号：AUIRFS4010-7P-ND
  别名：AUIRFS40107P
  SP001516602
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 97A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRFS4410Z
  仓库库存编号：AUIRFS4410Z-ND
  别名：SP001520704
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 48W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：AUIRLR120N
  仓库库存编号：AUIRLR120N-ND
  别名：SP001521880
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRLR3110Z
  仓库库存编号：AUIRLR3110Z-ND
  别名：SP001521338
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 370W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRLS4030
  仓库库存编号：AUIRLS4030-ND
  别名：SP001519902
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 190A（Tc） 370W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：AUIRLS4030-7P
  仓库库存编号：AUIRLS4030-7P-ND
  别名：AUIRLS40307P
  SP001522310
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 59A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF3710ZGPBF
  仓库库存编号：IRF3710ZGPBF-ND
  别名：SP001564604
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 22A（Tc） 95W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS121AE3045ANTMA1
  仓库库存编号：BTS121AE3045ANTMA1CT-ND
  别名：BTS121A E3045ACT
  BTS121A E3045ACT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK956R1-100E,127
  仓库库存编号：568-9866-5-ND
  别名：568-9866-5
  934066524127
  BUK956R1100E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK9E6R1-100E,127
  仓库库存编号：568-9877-5-ND
  别名：568-9877-5
  934066517127
  BUK9E6R1100E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70.4A（Tc） 63.8W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN4R6-100XS,127
  仓库库存编号：568-10158-5-ND
  别名：568-10158
  568-10158-5
  568-10158-ND
  934067065127
  PSMN4R6-100XS,127-ND
  PSMN4R6100XS127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 62A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4510GPBF
  仓库库存编号：IRFB4510GPBF-ND
  别名：SP001572362
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 38A（Tc） 3.1W（Ta），170W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRF5210S
  仓库库存编号：AUIRF5210S-ND
  别名：SP001519218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD25CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD25CN10NGBUMA1CT-ND
  别名：IPD25CN10N GCT
  IPD25CN10N GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 49A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 49A（Tj） 55W（Tc） TO-220F
  
  型号：PSMN8R5-100XSQ
  仓库库存编号：568-10162-5-ND
  别名：568-10162-5
  934067377127
  PSMN8R5100XSQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 169A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V D2PAK（7-Lead）
  
  型号：BUK7C4R5-100EJ
  仓库库存编号：BUK7C4R5-100EJ-ND
  别名：934067495118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 147A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V D2PAK-7
  
  型号：BUK7C5R4-100EJ
  仓库库存编号：BUK7C5R4-100EJ-ND
  别名：934067496118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V D2PAK-7
  
  型号：BUK9C5R3-100EJ
  仓库库存编号：BUK9C5R3-100EJ-ND
  别名：934067487118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Ta），93A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF7171MTRPBF
  仓库库存编号：IRF7171MTRPBFCT-ND
  别名：IRF7171MTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 18A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Ta），105A（Tc） 3.8W（Ta），132W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7188TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7188TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7188TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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