产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4310ZGPBF
仓库库存编号：
IRFB4310ZGPBF-ND
别名：SP001575544
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），250W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5010TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5010TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5010TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 11A（Ta），63A（Tc） 3.6W（Ta），114W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5110TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5110TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5110TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Ta），55A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） PQFN（5x6）
型号：
IRFH5210TR2PBF
仓库库存编号：
IRFH5210TR2PBFCT-ND
别名：IRFH5210TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
型号：
IRF6644
仓库库存编号：
IRF6644-ND
别名：SP001574786
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
型号：
IRF6644TR1
仓库库存编号：
IRF6644TR1-ND
别名：SP001561926
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.7A（Ta），25A（Tc） 3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SJ
型号：
IRF6645
仓库库存编号：
IRF6645-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
型号：
IRF6655TR1
仓库库存编号：
IRF6655TR1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
型号：
IRF6665
仓库库存编号：
IRF6665-ND
别名：SP001554114
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
型号：
IRF6665TR1
仓库库存编号：
IRF6665TR1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 100V 2.1A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 2.1A, 1.5A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7350TRPBF
仓库库存编号：
IRF7350TRPBFCT-ND
别名：IRF7350TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF540ZS
仓库库存编号：
AUIRF540ZS-ND
别名：SP001515788
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR120Z
仓库库存编号：
AUIRFR120Z-ND
别名：SP001516680
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR3710Z
仓库库存编号：
AUIRFR3710Z-ND
别名：SP001519588
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS4310
仓库库存编号：
AUIRFS4310-ND
别名：SP001522392
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRFS4610
仓库库存编号：
AUIRFS4610-ND
别名：SP001522872
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35.2A （Tc） 48.4W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN013-100XS,127
仓库库存编号：
568-9499-5-ND
别名：568-9499-5
934066044127
PSMN013-100XS,127-ND
PSMN013-100XS127
PSMN013100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 32.1A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 32.1A（Tc） 46.1W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN016-100XS,127
仓库库存编号：
568-9500-5-ND
别名：568-9500-5
934066045127
PSMN016-100XS,127-ND
PSMN016-100XS127
PSMN016100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 67.5A（Tc） 63.8W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN5R0-100XS,127
仓库库存编号：
568-9760-5-ND
别名：568-9760-5
934066039127
PSMN5R0-100XS,127-ND
PSMN5R0-100XS127
PSMN5R0100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 61.8A（Tc） 60W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN5R6-100XS,127
仓库库存编号：
568-9496-5-ND
别名：568-9496-5
934066041127
PSMN5R6-100XS,127-ND
PSMN5R6-100XS127
PSMN5R6100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 55A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 55A（Tc） 57.7W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN7R0-100XS,127
仓库库存编号：
568-9497-5-ND
别名：934066042127
PSMN7R0-100XS,127-ND
PSMN7R0-100XS127
PSMN7R0100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 44.2A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 44.2A（Tc） 52.6W（Tc） TO-220F
型号：
PSMN9R5-100XS,127
仓库库存编号：
568-9498-5-ND
别名：568-9498-5
934066043127
PSMN9R5-100XS,127-ND
PSMN9R5-100XS127
PSMN9R5100XS127
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 43A（Tc） 47W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRFI4410ZGPBF
仓库库存编号：
IRFI4410ZGPBF-ND
别名：SP001572644
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
型号：
IRFHM792TR2PBF
仓库库存编号：
IRFHM792TR2PBFCT-ND
别名：IRFHM792TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.4A（Ta），45A（Tc） 76W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC205N10LS G
仓库库存编号：
BSC205N10LS GCT-ND
别名：BSC205N10LS GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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