产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI35CN10N G
仓库库存编号：
IPI35CN10N G-ND
别名：SP000208936
SP000680730
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI50CN10NGHKSA1
仓库库存编号：
IPI50CN10NGHKSA1-ND
别名：IPI50CN10N G
IPI50CN10N G-ND
SP000208937
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80CN10N G
仓库库存编号：
IPI80CN10N G-ND
别名：SP000208938
SP000680758
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP05CN10L G
仓库库存编号：
IPP05CN10L G-ND
别名：SP000308801
SP000680812
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP06CN10LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP06CN10LGXKSA1-ND
别名：IPP06CN10L G
IPP06CN10L G-ND
SP000308789
SP000680820
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 98A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP08CN10L G
仓库库存编号：
IPP08CN10L G-ND
别名：SP000308791
SP000680842
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 54A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP16CN10LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP16CN10LGXKSA1-ND
别名：IPP16CN10L G
IPP16CN10L G-ND
SP000308793
SP000680878
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP35CN10N G
仓库库存编号：
IPP35CN10N G-ND
别名：SP000096473
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP47N10S33AKSA1
仓库库存编号：
IPP47N10S33AKSA1-ND
别名：IPP47N10S-33
IPP47N10S-33-ND
IPP47N10S33
SP000225706
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP47N10SL26AKSA1
仓库库存编号：
IPP47N10SL26AKSA1-ND
别名：IPP47N10SL-26
IPP47N10SL-26-ND
IPP47N10SL26
SP000225707
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
详细描述：通孔 N 沟道 100V 69A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS12CN10LGBKMA1
仓库库存编号：
IPS12CN10LGBKMA1-ND
别名：IPS12CN10L G
IPS12CN10L G-ND
SP000311530
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 44W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU64CN10N G
仓库库存编号：
IPU64CN10N G-ND
别名：SP000209097
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU78CN10N G
仓库库存编号：
IPU78CN10N G-ND
别名：SP000209098
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 100V 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP15P10PGHKSA1
仓库库存编号：
SPP15P10PGHKSA1-ND
别名：SP000212313
SPP15P10P G
SPP15P10P G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 100V 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP15P10PLGHKSA1
仓库库存编号：
SPP15P10PLGHKSA1-ND
别名：SP000212234
SPP15P10PL G
SPP15P10PL G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.1A DFET SB
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.1A（Ta），14.4A（Tc） 2.4W（Ta），30W（Tc） DIRECTFET SB
型号：
IRF7665S2TR1PBF
仓库库存编号：
IRF7665S2TR1PBFCT-ND
别名：IRF7665S2TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 375A（Tc） 3.3W（Ta），125W（Tc） DIRECTFET L8
型号：
IRF7769L2TR1PBF
仓库库存编号：
IRF7769L2TR1PBFCT-ND
别名：IRF7769L2TR1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
型号：
IRLH5030TR2PBF
仓库库存编号：
IRLH5030TR2PBFCT-ND
别名：IRLH5030TR2PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Tc） 79W（Tc） DPAK
型号：
PHD18NQ10T,118
仓库库存编号：
PHD18NQ10T,118-ND
别名：934055700118
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） TO-220AB
型号：
PHP45NQ10TA,127
仓库库存编号：
PHP45NQ10TA,127-ND
别名：934059957127
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7628-100A/C,118
仓库库存编号：
BUK7628-100A/C,118-ND
别名：934060683118
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 33A（Tc） 114W（Tc） DPAK
型号：
BUK9240-100A/C1,11
仓库库存编号：
BUK9240-100A/C1,11-ND
别名：934061623118
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI126N10N3 G
仓库库存编号：
IPI126N10N3 G-ND
别名：IPI126N10N3G
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 125W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS118N10N G
仓库库存编号：
IPS118N10N G-ND
别名：SP000475890
SP000680974
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 130A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4310GPBF
仓库库存编号：
IRFB4310GPBF-ND
别名：SP001564018
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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