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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS169L6327HTSA1TR-ND
  别名：BSS169 L6327
  BSS169 L6327-ND
  SP000247299
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB05CN10N G
  仓库库存编号：IPB05CN10N G-ND
  别名：SP000096440
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB06CN10N G
  仓库库存编号：IPB06CN10N G-ND
  别名：SP000096446
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB08CN10N G
  仓库库存编号：IPB08CN10N G-ND
  别名：SP000096448
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB12CN10N G
  仓库库存编号：IPB12CN10N G-ND
  别名：SP000096450
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB16CN10N G
  仓库库存编号：IPB16CN10N G-ND
  别名：SP000096452
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB26CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB26CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB26CN10N G
  IPB26CN10N G-ND
  SP000277692
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB34CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB34CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB34CN10N G
  IPB34CN10N G-ND
  SP000277693
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB50CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPB50CN10NGATMA1TR-ND
  别名：IPB50CN10N G
  IPB50CN10N G-ND
  SP000277696
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB79CN10N G
  仓库库存编号：IPB79CN10N G-ND
  别名：SP000277697
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD068N10N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD068N10N3 G
  IPD068N10N3 G-ND
  SP000469892
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD082N10N3GBTMA1
  仓库库存编号：IPD082N10N3GBTMA1TR-ND
  别名：IPD082N10N3 G
  IPD082N10N3 G-ND
  SP000485986
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 67A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD12CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD12CN10NGBUMA1TR-ND
  别名：IPD12CN10N G
  IPD12CN10N G-ND
  SP000096476
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD16CN10N G
  仓库库存编号：IPD16CN10N G-ND
  别名：SP000096454
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD33CN10NGBUMA1
  仓库库存编号：IPD33CN10NGBUMA1TR-ND
  别名：IPD33CN10N G
  IPD33CN10N G-ND
  SP000096458
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD49CN10N G
  仓库库存编号：IPD49CN10N G-ND
  别名：SP000096459
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 44W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD64CN10N G
  仓库库存编号：IPD64CN10N G-ND
  别名：SP000104810
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI030N10N3GHKSA1
  仓库库存编号：IPI030N10N3GHKSA1-ND
  别名：IPI030N10N3 G
  IPI030N10N3 G-ND
  SP000469884
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI04CN10N G
  仓库库存编号：IPI04CN10N G-ND
  别名：SP000398084
  SP000680660
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI05CN10N G
  仓库库存编号：IPI05CN10N G-ND
  别名：SP000208922
  SP000680664
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI06CN10N G
  仓库库存编号：IPI06CN10N G-ND
  别名：SP000208924
  SP000680668
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 95A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI08CN10N G
  仓库库存编号：IPI08CN10N G-ND
  别名：SP000208926
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI12CN10N G
  仓库库存编号：IPI12CN10N G-ND
  别名：SP000208928
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI16CN10N G
  仓库库存编号：IPI16CN10N G-ND
  别名：SP000208930
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI26CN10N G
  仓库库存编号：IPI26CN10N G-ND
  别名：SP000208932
  SP000680726
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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