产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Tc) 98W(Tc) D2PAK
型号:
PHB23NQ10LT,118
仓库库存编号:
PHB23NQ10LT,118-ND
别名:934055798118
PHB23NQ10LT /T3
PHB23NQ10LT /T3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP04CN10NG
仓库库存编号:
IPP04CN10NGIN-ND
别名:IPP04CN10N G
IPP04CN10NGIN
IPP04CN10NGXK
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NCPBF
仓库库存编号:
IRFR120NCPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 17A(Tc) D-Pak
型号:
IRLR3410CPBF
仓库库存编号:
IRLR3410CPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NSPBF
仓库库存编号:
IRF9520NSPBF-ND
别名:SP001551696
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Ta) D-Pak
型号:
IRFR9120NCPBF
仓库库存编号:
IRFR9120NCPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 16A(Tc) 79W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3910CPBF
仓库库存编号:
IRFR3910CPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3710Z-701P
仓库库存编号:
IRFU3710Z-701P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta) 48W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120NCTRLPBF
仓库库存编号:
IRFR120NCTRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 59A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS59N10DTRRP
仓库库存编号:
IRFS59N10DTRRP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 56W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3911TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3911TRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR540ZTRRPBF
仓库库存编号:
IRFR540ZTRRPBF-ND
别名:SP001557092
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 48A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3412TRLPBF
仓库库存编号:
IRFR3412TRLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 48A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3412TRRPBF
仓库库存编号:
IRFR3412TRRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 88A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 88A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4410PBF
仓库库存编号:
IRFSL4410PBF-ND
别名:SP001550234
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7452QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7452QTRPBFCT-ND
别名:IRF7452QTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF9520NLPBF
仓库库存编号:
IRF9520NLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 35A(Tc) 91W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU540ZPBF
仓库库存编号:
IRFU540ZPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 130A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 130A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4310PBF
仓库库存编号:
IRFSL4310PBF-ND
别名:AUXCLFSL4310
AUXCLFSL4310-ND
SP001550204
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 14A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 14A(Tc) 56W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3911TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3911TRPBF-ND
别名:SP001560664
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 48A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3412TRPBF
仓库库存编号:
IRFR3412TRPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC152N10NSFGATMA1
仓库库存编号:
BSC152N10NSFGATMA1TR-ND
别名:BSC152N10NSF G
BSC152N10NSF G-ND
SP000379601
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.98A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 980mA(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP321PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP321PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSP321P L6327
BSP321P L6327-ND
SP000212228
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 1A(Tc) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP322PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP322PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSP322P L6327
BSP322P L6327-ND
SP000212229
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 360mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR316PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSR316PL6327HTSA1TR-ND
别名:BSR316P L6327
BSR316P L6327-ND
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