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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB70N10L
  仓库库存编号：SPB70N10L-ND
  别名：SP000012079
  SPB70N10LT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N10L
  仓库库存编号：SPB80N10L-ND
  别名：SP000014350
  SPB80N10LT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI10N10
  仓库库存编号：SPI10N10-ND
  别名：SP000013846
  SPI10N10X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI10N10L
  仓库库存编号：SPI10N10L-ND
  别名：SP000013850
  SPI10N10LX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 21A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI21N10
  仓库库存编号：SPI21N10IN-ND
  别名：SP000013843
  SPI21N10-ND
  SPI21N10IN
  SPI21N10X
  SPI21N10XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI35N10
  仓库库存编号：SPI35N10-ND
  别名：SP000013852
  SPI35N10X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI47N10
  仓库库存编号：SPI47N10-ND
  别名：SP000013951
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI47N10L
  仓库库存编号：SPI47N10L-ND
  别名：SP000013952
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI70N10L
  仓库库存编号：SPI70N10L-ND
  别名：SP000014005
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N10L
  仓库库存编号：SPI80N10L-ND
  别名：SP000014351
  SPI80N10LX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP10N10
  仓库库存编号：SPP10N10-ND
  别名：SP000013844
  SPP10N10X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP10N10L
  仓库库存编号：SPP10N10L-ND
  别名：SP000013849
  SPP10N10LX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP47N10
  仓库库存编号：SPP47N10-ND
  别名：SP000012415
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP47N10L
  仓库库存编号：SPP47N10L-ND
  别名：SP000012102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP70N10L
  仓库库存编号：SPP70N10LIN-ND
  别名：SP000012103
  SPP70N10L-ND
  SPP70N10LIN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N10L
  仓库库存编号：SPP80N10L-ND
  别名：SP000014349
  SPP80N10LX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：SPU11N10
  仓库库存编号：SPU11N10-ND
  别名：SP000013848
  SPU11N10X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP296L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP296L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP296L6327INCT
  BSP296L6327INCT-ND
  BSP296XTINCT
  BSP296XTINCT-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP316PL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP316PL6327
  BSP316PL6327INCT
  BSP316PL6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP372L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP372L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP372L6327
  BSP372L6327INCT
  BSP372L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP373L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP373L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP373L6327INCT
  BSP373L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS123L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSS123L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSS123L6327
  BSS123L6327INCT
  BSS123L6327INCT-ND
  
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  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB10N10L G
  仓库库存编号：SPB10N10LGINCT-ND
  别名：SPB10N10LG
  SPB10N10LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N10L G
  仓库库存编号：SPB80N10LGINCT-ND
  别名：SPB80N10LG
  SPB80N10LGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 3.8W（Ta），140W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL540NSTRL
  仓库库存编号：IRL540NSTRLCT-ND
  别名：IRL540NSTRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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