产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP296 E6433
仓库库存编号：
BSP296 E6433-ND
别名：BSP296E6433T
SP000011107
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP372 E6327
仓库库存编号：
BSP372 E6327-ND
别名：BSP372E6327T
SP000011120
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.7A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP373 E6327
仓库库存编号：
BSP373 E6327-ND
别名：BSP373E6327T
SP000011121
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS119 E6433
仓库库存编号：
BSS119 E6433-ND
别名：BSS119E6433XT
SP000011164
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS119 E7796
仓库库存编号：
BSS119 E7796-ND
别名：BSS119E7796T
SP000011162
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS119 E7978
仓库库存编号：
BSS119 E7978-ND
别名：BSS119E7978XT
SP000011163
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS123 E6433
仓库库存编号：
BSS123 E6433-ND
别名：BSS123E6433XT
SP000011166
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS123L7874XT
仓库库存编号：
BSS123L7874XTTR-ND
别名：BSS123 E7874
BSS123 E7874-ND
BSS123E7874T
SP000011167
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169 E6327
仓库库存编号：
BSS169 E6327-ND
别名：BSS169E6327XT
SP000011172
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS169 E6906
仓库库存编号：
BSS169 E6906-ND
别名：BSS169E6906XT
SP000055416
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） TO-220AB
型号：
BTS110NKSA1
仓库库存编号：
BTS110NKSA1-ND
别名：BTS110
BTS110-ND
SP000011184
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） TO-220AB
型号：
BTS110E3045ANTMA1
仓库库存编号：
BTS110E3045ANTMA1TR-ND
别名：BTS110 E3045A
BTS110 E3045A-ND
BTS110E3045AT
SP000011183
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP06CN10N G
仓库库存编号：
IPP06CN10N G-ND
别名：IPP06CN10NGX
IPP06CN10NGXK
SP000096463
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 95A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 95A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP08CN10N G
仓库库存编号：
IPP08CN10NGIN-ND
别名：IPP08CN10N G-ND
IPP08CN10NGIN
IPP08CN10NGX
IPP08CN10NGXK
SP000096465
SP000680844
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 67A（Tc） 125W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP12CN10N G
仓库库存编号：
IPP12CN10N G-ND
别名：IPP12CN10NGX
IPP12CN10NGXK
SP000096468
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP26CN10NGHKSA1
仓库库存编号：
IPP26CN10NGHKSA1-ND
别名：IPP26CN10N G
IPP26CN10N G-ND
IPP26CN10NGX
IPP26CN10NGXK
SP000096471
SP000680922
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP50CN10NGXKSA1
仓库库存编号：
IPP50CN10NGXKSA1-ND
别名：IPP50CN10N G
IPP50CN10N G-ND
IPP50CN10NGHKSA1
IPP50CN10NGIN
IPP50CN10NGIN-ND
IPP50CN10NGX
IPP50CN10NGXK
SP000096474
SP000680930
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP80CN10NGHKSA1
仓库库存编号：
IPP80CN10NGHKSA1-ND
别名：IPP80CN10N G
IPP80CN10N G-ND
IPP80CN10NGX
IPP80CN10NGXK
SP000096475
SP000680966
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB10N10
仓库库存编号：
SPB10N10-ND
别名：SP000013845
SPB10N10T
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB10N10 G
仓库库存编号：
SPB10N10 G-ND
别名：SP000102168
SPB10N10GXT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB10N10L
仓库库存编号：
SPB10N10L-ND
别名：SP000013836
SPB10N10LT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB21N10 G
仓库库存编号：
SPB21N10 G-ND
别名：SP000102171
SPB21N10GXT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB35N10 G
仓库库存编号：
SPB35N10 G-ND
别名：SP000102172
SPB35N10GXT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB47N10
仓库库存编号：
SPB47N10-ND
别名：SP000012327
SPB47N10T
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB47N10L
仓库库存编号：
SPB47N10L-ND
别名：SP000012078
SPB47N10LT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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