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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 370mA（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP123E6327T
  仓库库存编号：BSP123XTINCT-ND
  别名：BSP123XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PE6327T
  仓库库存编号：BSP316PE6327XTINCT-ND
  别名：BSP316PE6327XTINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V
  
  型号：IRFL4310PBF
  仓库库存编号：IRFL4310PBFCT-ND
  别名：64-8037PBFCT
  64-8037PBFCT-ND
  648037PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 190mA（Ta） 830mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BST72A,112
  仓库库存编号：BST72A,112-ND
  别名：933710530112
  BST72A
  BST72A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 37A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 37A（Tc） 138W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7540-100A,127
  仓库库存编号：568-9794-5-ND
  别名：568-9794-5
  934056026127
  BUK7540-100A
  BUK7540-100A,127-ND
  BUK7540-100A-ND
  BUK7540100A127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7615-100A,118
  仓库库存编号：BUK7615-100A,118-ND
  别名：934055415118
  BUK7615-100A /T3
  BUK7615-100A /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 49A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 49A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK9528-100A,127
  仓库库存编号：BUK9528-100A,127-ND
  别名：934055883127
  BUK9528-100A
  BUK9528-100A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 63A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9620-100A,118
  仓库库存编号：BUK9620-100A,118-ND
  别名：934055653118
  BUK9620-100A /T3
  BUK9620-100A /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 41A（Tc） 149W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9635-100A,118
  仓库库存编号：BUK9635-100A,118-ND
  别名：934055657118
  BUK9635-100A /T3
  BUK9635-100A /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 23A（Tc） 100W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD23NQ10T,118
  仓库库存编号：PHD23NQ10T,118-ND
  别名：934055697118
  PHD23NQ10T /T3
  PHD23NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 11.6A SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 11.6A（Tc） 8.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：PHK12NQ10T,518
  仓库库存编号：PHK12NQ10T,518-ND
  别名：934057347518
  PHK12NQ10T /T3
  PHK12NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V SOT96-1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：PHK4NQ10T,518
  仓库库存编号：PHK4NQ10T,518-ND
  别名：934055907518
  PHK4NQ10T /T3
  PHK4NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 30.7A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 30.7A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
  
  型号：PHM25NQ10T,518
  仓库库存编号：PHM25NQ10T,518-ND
  别名：934057309518
  PHM25NQ10T /T3
  PHM25NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 37.6A（Tc） 62.5W（Tc） 8-HVSON（6x5）
  
  型号：PHM30NQ10T,518
  仓库库存编号：PHM30NQ10T,518-ND
  别名：934057308518
  PHM30NQ10T /T3
  PHM30NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5A（Tc） 6.25W（Tc） SOT-223
  
  型号：PHT2NQ10T,135
  仓库库存编号：PHT2NQ10T,135-ND
  别名：934056839135
  PHT2NQ10T /T3
  PHT2NQ10T /T3-ND
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.9A（Tc） 57.7W（Tc） I-Pak
  
  型号：PHU11NQ10T,127
  仓库库存编号：PHU11NQ10T,127-ND
  别名：934056349127
  PHU11NQ10T
  PHU11NQ10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 80A SOT429
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 263W（Tc） TO-247-3
  
  型号：PHW80NQ10T,127
  仓库库存编号：PHW80NQ10T,127-ND
  别名：934055695127
  PHW80NQ10T
  PHW80NQ10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 100A SOT429
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） TO-247-3
  
  型号：PSMN009-100W,127
  仓库库存编号：PSMN009-100W,127-ND
  别名：934055801127
  PSMN009-100W
  PSMN009-100W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 136W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD34NQ10T,118
  仓库库存编号：PHD34NQ10T,118-ND
  别名：934055807118
  PHD34NQ10T /T3
  PHD34NQ10T /T3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP47NQ10T,127
  仓库库存编号：PHP47NQ10T,127-ND
  别名：934056744127
  PHP47NQ10T
  PHP47NQ10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 27W（Tc） TO-220-3
  
  型号：PHX23NQ10T,127
  仓库库存编号：PHX23NQ10T,127-ND
  别名：934055797127
  PHX23NQ10T
  PHX23NQ10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.3A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF6644TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6644TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6644TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.7A（Ta），25A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SJ
  
  型号：IRF6645TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6645TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6645TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.3A（Ta），47A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET? MZ
  
  型号：IRF6662TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6662TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6662TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
  
  型号：IRF6665TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6665TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6665TR1PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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