产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(2409)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(113)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(2296)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(82)
Central Semiconductor Corp(2)
Diodes Incorporated(116)
EPC(27)
Fairchild/ON Semiconductor(357)
GeneSiC Semiconductor(1)
Infineon Technologies(596)
IXYS(172)
Microchip Technology(11)
Microsemi Corporation(105)
Nexperia USA Inc.(152)
NXP USA Inc.(46)
ON Semiconductor(127)
Panasonic Electronic Components(3)
Renesas Electronics America(27)
Rohm Semiconductor(19)
Sanken(17)
STMicroelectronics(118)
Taiwan Semiconductor Corporation(24)
Texas Instruments(19)
Toshiba Semiconductor and Storage(30)
Vishay Semiconductor Diodes Division(4)
Vishay Siliconix(354)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 36A(Tc) 92W(Tc) D2PAK
型号:
IRF540ZSTRR
仓库库存编号:
IRF540ZSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120ZTR
仓库库存编号:
IRFR120ZTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR120ZTRL
仓库库存编号:
IRFR120ZTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 36A(Tc) 92W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540Z
仓库库存编号:
IRF540Z-ND
别名:*IRF540Z
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 96A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 96A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4410
仓库库存编号:
IRFB4410-ND
别名:*IRFB4410
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4610
仓库库存编号:
IRFB4610-ND
别名:*IRFB4610
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 96A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 96A(Tc) 250W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4410
仓库库存编号:
IRFS4410-ND
别名:*IRFS4410
SP001571744
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4610
仓库库存编号:
IRFS4610-ND
别名:*IRFS4610
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 96A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 96A(Tc) 250W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4410
仓库库存编号:
IRFSL4410-ND
别名:*IRFSL4410
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4610
仓库库存编号:
IRFSL4610-ND
别名:*IRFSL4610
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 73A(Tc) 190W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4610PBF
仓库库存编号:
IRFSL4610PBF-ND
别名:*IRFSL4610PBF
SP001578448
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 17A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 17A(Tc) 79W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530N,127
仓库库存编号:
568-1159-5-ND
别名:568-1159-5
934055534127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 23A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 23A(Tc) 100W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540,127
仓库库存编号:
568-1160-5-ND
别名:568-1160-5
934055542127
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 18A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4212PBF
仓库库存编号:
IRFB4212PBF-ND
别名:SP001555992
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 14A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) 56W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3911PBF
仓库库存编号:
IRFU3911PBF-ND
别名:*IRFU3911PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 48A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 48A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3412PBF
仓库库存编号:
IRFU3412PBF-ND
别名:*IRFU3412PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 48A(Tc) 140W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR3412PBF
仓库库存编号:
IRFR3412PBF-ND
别名:*IRFR3412PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4710PBF
仓库库存编号:
IRFSL4710PBF-ND
别名:*IRFSL4710PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF520NLPBF
仓库库存编号:
IRF520NLPBF-ND
别名:*IRF520NLPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 36A(Tc) 3.8W(Ta),140W(Tc) TO-262
型号:
IRL540NLPBF
仓库库存编号:
IRL540NLPBF-ND
别名:*IRL540NLPBF
SP001558070
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4710PBF
仓库库存编号:
IRFS4710PBF-ND
别名:*IRFS4710PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 40W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9120NPBF
仓库库存编号:
IRFU9120NPBF-ND
别名:*IRFU9120NPBF
SP001568138
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 8.7A(Tc) 35W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU120ZPBF
仓库库存编号:
IRFU120ZPBF-ND
别名:*IRFU120ZPBF
SP001578408
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 21A(Tc) 90W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB21N10T
仓库库存编号:
SPB21N10T-ND
别名:SP000013626
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB35N10T
仓库库存编号:
SPB35N10T-ND
别名:SP000013627
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号