以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 170A（Tc） 580W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS3810
  仓库库存编号：IRFPS3810-ND
  别名：*IRFPS3810
  Q1244033
  SP001560530
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119E6327
  仓库库存编号：BSS119INCT-ND
  别名：BSS119INCT
  BSS119XTINCT
  BSS119XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 370mA（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP123L6327HTSA1
  仓库库存编号：BSP123L6327HTSA1CT-ND
  别名：BSP123INCT
  BSP123INCT-ND
  BSP123L6327INCT
  BSP123L6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.1A（Ta） 1.79W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP296E6327
  仓库库存编号：BSP296INCT-ND
  别名：BSP296INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS123E6327
  仓库库存编号：BSS123INCT-ND
  别名：BSS123INCT
  BSS123XTINCT
  BSS123XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 22A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BTS121ANKSA1
  仓库库存编号：BTS121ANKSA1-ND
  别名：BTS121A
  BTS121AIN
  BTS121AIN-ND
  SP000011200
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 31A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 31A（Tc） 3W（Ta），110W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3410
  仓库库存编号：IRFU3410-ND
  别名：*IRFU3410
  Q1434118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP35N10
  仓库库存编号：SPP35N10IN-ND
  别名：SP000013851
  SPP35N10IN
  SPP35N10X
  SPP35N10XTIN
  SPP35N10XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 21A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP21N10
  仓库库存编号：SPP21N10IN-ND
  别名：SP000013842
  SPP21N10IN
  SPP21N10X
  SPP21N10XTIN
  SPP21N10XTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP15P10P
  仓库库存编号：SPP15P10PIN-ND
  别名：SP000014331
  SPP15P10PIN
  SPP15P10PX
  SPP15P10PXTIN
  SPP15P10PXTIN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PE6327
  仓库库存编号：BSP316PE6327INCT-ND
  别名：BSP316PE6327INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 21A（Tc） 90W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB21N10
  仓库库存编号：SPB21N10INCT-ND
  别名：SPB21N10INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB35N10
  仓库库存编号：SPB35N10INTR-ND
  别名：SPB35N10INTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD35N10
  仓库库存编号：SPD35N10INCT-ND
  别名：SPD35N10INCT
  SPD35N10XTINCT
  SPD35N10XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.5A（Tc） 50W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD11N10
  仓库库存编号：SPD11N10INTR-ND
  别名：SP000013847
  SPD11N10INTR
  SPD11N10XT
  SPD11N10XT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU3710Z
  仓库库存编号：IRFU3710Z-ND
  别名：*IRFU3710Z
  SP001565168
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTR
  仓库库存编号：IRFR3710ZTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTRL
  仓库库存编号：IRFR3710ZTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3710ZTRR
  仓库库存编号：IRFR3710ZTRR-ND
  别名：SP001575918
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7495TR
  仓库库存编号：IRF7495TR-ND
  别名：SP001559948
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120Z
  仓库库存编号：IRFR120Z-ND
  别名：*IRFR120Z
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU120Z
  仓库库存编号：IRFU120Z-ND
  别名：*IRFU120Z
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540ZS
  仓库库存编号：IRF540ZS-ND
  别名：*IRF540ZS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF540ZL
  仓库库存编号：IRF540ZL-ND
  别名：*IRF540ZL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540ZSTRL
  仓库库存编号：IRF540ZSTRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  含铅
• 搜索