产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 100V 6A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
型号：
2N6788
仓库库存编号：
2N6788-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6788U
仓库库存编号：
2N6788U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6796
仓库库存编号：
2N6796-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6796U
仓库库存编号：
2N6796U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
型号：
2N6849
仓库库存编号：
2N6849-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18-LCC
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6849U
仓库库存编号：
2N6849U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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EPC
TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 25A（Ta） 模具
型号：
EPC2801
仓库库存编号：
917-1035-1-ND
别名：917-1035-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6764T1
仓库库存编号：
2N6764T1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1.8A（Ta） 800mW（Ta），8.3W（Tc） SOT-223
型号：
PMT200EN,135
仓库库存编号：
568-10826-1-ND
别名：568-10826-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V SC-73
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 900mA（Ta） 800mW（Ta），6.2W（Tc） SOT-223
型号：
PMT760EN,135
仓库库存编号：
568-10829-1-ND
别名：568-10829-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 100V 1A（Ta） 4-HVMDIP
型号：
IRFD9123
仓库库存编号：
IRFD9123-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
详细描述：通孔 P 沟道 100V 790mA（Ta） 6.25W（Ta） TO-39
型号：
VP1008B
仓库库存编号：
VP1008B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 6.5A（Tc） 1.25W（Ta），16.7W（Tc） TO-252AA
型号：
SUD06N10-225L-GE3
仓库库存编号：
SUD06N10-225L-GE3CT-ND
别名：SUD06N10-225L-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 8A 8-SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4292
仓库库存编号：
785-1657-1-ND
别名：785-1657-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Ta） 2W（Ta），25W（Tc） TO-220F-3SG
型号：
2SK3707-1E
仓库库存编号：
2SK3707-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 26A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 26A（Ta） 1.65W（Ta），50W（Tc） TO-263-2
型号：
2SK3820-DL-1E
仓库库存编号：
2SK3820-DL-1E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 136W（Tc） D2PAK-3
型号：
NVB6413ANT4G
仓库库存编号：
NVB6413ANT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 100V 180A（Tc） 480W（Tc） SOT-227
型号：
VS-FB180SA10P
仓库库存编号：
VS-FB180SA10P-ND
别名：VSFB180SA10P
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 100V 140A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17.5A(Ta), 140A(Tc) 1.9W（Ta），500W（Tc） TO-262
型号：
AOW290
仓库库存编号：
785-1729-5-ND
别名：785-1729-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 9A TP-FA
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9A（Ta） 1W（Ta），19W（Tc） DPAK/TP-FA
型号：
SFT1443-TL-H
仓库库存编号：
SFT1443-TL-HOSCT-ND
别名：SFT1443-TL-HOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 48A（Ta） 模具
型号：
EPC2032ENGR
仓库库存编号：
917-EPC2032ENGR-ND
别名：917-EPC2032ENGR
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 10.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10.5A（Ta），70A（Tc） 2.7W（Ta），125W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD2904
仓库库存编号：
785-1736-1-ND
别名：785-1736-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
型号：
H7N1002LS-E
仓库库存编号：
H7N1002LS-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
型号：
H7N1002LSTL-E
仓库库存编号：
H7N1002LSTL-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Ta） 模具
型号：
EPC2022ENGRT
仓库库存编号：
917-EPC2022ENGRCT-ND
别名：917-1140-1
917-1140-1-ND
917-EPC2022ENGRCT\
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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