产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 4.5A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JANTXV2N6788U
仓库库存编号：
JANTXV2N6788U-ND
别名：JANTXV2N6788U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 8A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
JANTXV2N6796
仓库库存编号：
JANTXV2N6796-ND
别名：JANTXV2N6796-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 8A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JANTXV2N6796U
仓库库存编号：
JANTXV2N6796U-ND
别名：JANTXV2N6796U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
搜索
Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A
详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
JANTXV2N6804
仓库库存编号：
JANTXV2N6804-ND
别名：JANTXV2N6804-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 6.5A
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
JANTXV2N6849
仓库库存编号：
JANTXV2N6849-ND
别名：JANTXV2N6849-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 6.5A
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
JANTXV2N6849U
仓库库存编号：
JANTXV2N6849U-ND
别名：JANTXV2N6849U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 1.69A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.69A（Tc） 8.33W（Tc） TO-205AF（TO-39）
型号：
JANTXV2N6901
仓库库存编号：
JANTXV2N6901-ND
别名：JANTXV2N6901-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 34A
详细描述：通孔 N 沟道 100V 34A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N7224
仓库库存编号：
JANTXV2N7224-ND
别名：JANTXV2N7224-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 34A
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 34A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTXV2N7224U
仓库库存编号：
JANTXV2N7224U-ND
别名：JANTXV2N7224U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
型号：
JANTXV2N7236
仓库库存编号：
JANTXV2N7236-ND
别名：JANTXV2N7236-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 18A
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
型号：
JANTXV2N7236U
仓库库存编号：
JANTXV2N7236U-ND
别名：JANTXV2N7236U-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
型号：
JANTXV2N7334
仓库库存编号：
JANTXV2N7334-ND
别名：JANTXV2N7334-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole MO-036AB
型号：
JANTXV2N7335
仓库库存编号：
JANTXV2N7335-ND
别名：JANTXV2N7335-MIL
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.69A（Tc） 8.33W（Tc） TO-39
型号：
2N6901
仓库库存编号：
2N6901-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-254AA
详细描述：通孔 N 沟道 100V 34A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
型号：
2N7224
仓库库存编号：
2N7224-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 34A SMD1
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 34A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-267AB
型号：
2N7224U
仓库库存编号：
2N7224U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-254AA
详细描述：通孔 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-254AA
型号：
2N7236
仓库库存编号：
2N7236-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V SMD1
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 18A（Tc） 4W（Ta），125W（Tc） TO-267AB
型号：
2N7236U
仓库库存编号：
2N7236U-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
型号：
2N7334
仓库库存编号：
2N7334-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
详细描述：Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole MO-036AB
型号：
2N7335
仓库库存编号：
2N7335-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3
详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
型号：
2N6804
仓库库存编号：
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产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA
型号：
2N6756
仓库库存编号：
2N6756-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-3
型号：
2N6764
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产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V TO-205AF
详细描述：通孔 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
型号：
2N6782
仓库库存编号：
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产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 18LCC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
型号：
2N6782U
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