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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 9A TP
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 9A（Ta） 1W（Ta），19W（Tc） TP
  
  型号：SFT1443-H
  仓库库存编号：SFT1443-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.6A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK98180-100A,115
  仓库库存编号：568-9714-1-ND
  别名：568-9714-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Ta） 3.1W（Ta） SOT-223
  
  型号：AOH3110
  仓库库存编号：785-1486-1-ND
  别名：785-1486-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 2.5A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5A（Ta），5.5A（Tc） 3.1W（Ta），17W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7452
  仓库库存编号：785-1585-1-ND
  别名：785-1585-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 349W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK755R4-100E,127
  仓库库存编号：1727-7238-ND
  别名：1727-7238
  568-9845-5
  568-9845-5-ND
  934066483127
  BUK755R4100E127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 40A（Tc） 3.75W（Ta），107W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP40N10-30-E3
  仓库库存编号：SUP40N10-30-E3-ND
  别名：SUP40N10-30-E3CT
  SUP40N10-30-E3CT-ND
  SUP40N1030E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.3A（Ta），7.5A（Tc） 2.3W（Ta），19W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC86106LZ
  仓库库存编号：FDMC86106LZCT-ND
  别名：FDMC86106LZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 2.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.5A（Ta），11A（Tc） 2.1W（Ta），45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD498
  仓库库存编号：AOD498-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 40A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：NP40N10PDF-E1-AY
  仓库库存编号：NP40N10PDF-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 1W（Ta），120W（Tc） 8-HSON
  
  型号：NP40N10YDF-E1-AY
  仓库库存编号：NP40N10YDF-E1-AY-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23
  
  型号：SI2392DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2392DS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2392DS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6756
  仓库库存编号：JAN2N6756-ND
  别名：JAN2N6756-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc）
  
  型号：JAN2N6764
  仓库库存编号：JAN2N6764-ND
  别名：JAN2N6764-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 38A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N6764T1
  仓库库存编号：JAN2N6764T1-ND
  别名：JAN2N6764T1-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） TO-39
  
  型号：JAN2N6782
  仓库库存编号：JAN2N6782-ND
  别名：JAN2N6782-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.5A（Tc） 800mW（Ta），15W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JAN2N6782U
  仓库库存编号：JAN2N6782U-ND
  别名：JAN2N6782U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 6A（Tc） 800mW（Tc） TO-39
  
  型号：JAN2N6788
  仓库库存编号：JAN2N6788-ND
  别名：JAN2N6788-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Tc） 800mW（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JAN2N6788U
  仓库库存编号：JAN2N6788U-ND
  别名：JAN2N6788U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-205AF TO-39
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：JAN2N6796
  仓库库存编号：JAN2N6796-ND
  别名：JAN2N6796-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JAN2N6796U
  仓库库存编号：JAN2N6796U-ND
  别名：JAN2N6796U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 11A TO-3
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 11A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） TO-204AA（TO-3）
  
  型号：JAN2N6804
  仓库库存编号：JAN2N6804-ND
  别名：JAN2N6804-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-39
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） TO-39
  
  型号：JAN2N6849
  仓库库存编号：JAN2N6849-ND
  别名：JAN2N6849-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET P-CH 18-LCC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 6.5A（Tc） 800mW（Ta），25W（Tc） 18-ULCC（9.14x7.49）
  
  型号：JAN2N6849U
  仓库库存编号：JAN2N6849U-ND
  别名：JAN2N6849U-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 100V 1.69A TO-205AF
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 1.69A（Tc） 8.33W（Tc） TO-205AF（TO-39）
  
  型号：JAN2N6901
  仓库库存编号：JAN2N6901-ND
  别名：JAN2N6901-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH TO-254AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 34A（Tc） 4W（Ta），150W（Tc） TO-254AA
  
  型号：JAN2N7224
  仓库库存编号：JAN2N7224-ND
  别名：JAN2N7224-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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