产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 139A 390W Chassis Mount SP4
型号:
APTM10DHM09TG
仓库库存编号:
APTM10DHM09TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 278A 780W Chassis Mount SP4
型号:
APTM10DUM05TG
仓库库存编号:
APTM10DUM05TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP4
型号:
APTM10HM09FTG
仓库库存编号:
APTM10HM09FTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTM10TDUM19PG
仓库库存编号:
APTM10TDUM19PG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.8A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
FQD7N10TM
仓库库存编号:
FQD7N10TMCT-ND
别名:FQD7N10TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 450mA(Ta) 700mW(Ta) E-Line(TO-92 兼容)
型号:
ZVN4210ASTOA
仓库库存编号:
ZVN4210ASTOA-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 15A(Ta) 20W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2141H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2141H-EL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 7.2A(Ta),44A(Tc) 120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3672
仓库库存编号:
FDB3672-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3670
仓库库存编号:
FDS3670-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3680
仓库库存编号:
FDS3680-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 105A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 100V 105A(Tc) 330W(Tc) TO-3P
型号:
FQA90N10V2
仓库库存编号:
FQA90N10V2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) D-Pak
型号:
FQD13N10LTM_NBEL001
仓库库存编号:
FQD13N10LTM_NBEL001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM_SB82052
仓库库存编号:
FQD8P10TM_SB82052-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 33.5A(Tc) 3.75W(Ta),155W(Tc) I2PAK
型号:
FQI34P10TU
仓库库存编号:
FQI34P10TU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 43.5A(Tc) 146W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP44N10F
仓库库存编号:
FQP44N10F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 44A(Tc) 155W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75637S3_NR4895
仓库库存编号:
HUF75637S3_NR4895-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 52A(Tc) 2W(Ta),178W(Tc) D2PAK
型号:
NTB52N10T4G
仓库库存编号:
NTB52N10T4GOSCT-ND
别名:NTB52N10T4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
详细描述:通孔 N 沟道 100V 55A(Ta) 140W(Tc) TO-220(W)
型号:
TK55D10J1(Q)
仓库库存编号:
TK55D10J1(Q)-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Ta) 20W(Tc) CPT3
型号:
RSD200N10TL
仓库库存编号:
RSD200N10TLCT-ND
别名:RSD200N10TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 6.4A(Ta),30A(Tc) 3.1W(Ta),71W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB3860
仓库库存编号:
FDB3860CT-ND
别名:FDB3860CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V SOT-23(TO-236AB)
型号:
5X49_BG7002B
仓库库存编号:
5X49_BG7002B-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 20A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FDPF3860TYDTU
仓库库存编号:
FDPF3860TYDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TF_NB82052
仓库库存编号:
FQD8P10TF_NB82052-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) D-Pak
型号:
FQD8P10TM_F080
仓库库存编号:
FQD8P10TM_F080-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 28A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
IRF540A
仓库库存编号:
IRF540A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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