产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRF5210STRL
仓库库存编号:
AUIRF5210STRLTR-ND
别名:AUIRF5210STRLTR
SP001519458
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 10V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP039N10N5AKSA1
仓库库存编号:
IPP039N10N5AKSA1-ND
别名:SP001602186
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP05CN10NGXKSA1
仓库库存编号:
IPP05CN10NGXKSA1-ND
别名:IPP05CN10N G
IPP05CN10N G-ND
IPP05CN10NG
IPP05CN10NGIN
IPP05CN10NGIN-ND
IPP05CN10NGX
IPP05CN10NGXK
SP000680814
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-262
型号:
AUIRFSL4310
仓库库存编号:
AUIRFSL4310-ND
别名:Q10661606
SP001516116
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC302N10N3X1SA1
仓库库存编号:
IPC302N10N3X1SA1-ND
别名:SP000476916
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3-1
型号:
IPI120N10S403AKSA1
仓库库存编号:
IPI120N10S403AKSA1-ND
别名:SP001102584
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB024N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB024N10N5ATMA1-ND
别名:SP001482034
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
AUIRF7769L2TR
仓库库存编号:
AUIRF7769L2TR-ND
别名:SP001522786
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 19A(Ta),114A(Tc) 3.3W(Ta),100W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
AUIRF7669L2TR
仓库库存编号:
AUIRF7669L2TRCT-ND
别名:AUIRF7669L2TRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 42A(Tc) 140W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU3710ZPBF
仓库库存编号:
IRFU3710ZPBF-ND
别名:*IRFU3710ZPBF
64-4138PBF
64-4138PBF-ND
SP001550264
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRFS4310TRL
仓库库存编号:
AUIRFS4310TRL-ND
别名:SP001517534
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N10S403AKSA1
仓库库存编号:
IPP120N10S403AKSA1-ND
别名:SP001102564
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 166A(Tc) 187W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB032N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB032N10N5ATMA1-ND
别名:SP001607808
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLS4030TRL
仓库库存编号:
AUIRLS4030TRL-ND
别名:SP001520410
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI030N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPI030N10N3GXKSA1-ND
别名:SP000680648
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190A(Tc) 370W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS4030-7TRL
仓库库存编号:
AUIRLS4030-7TRL-ND
别名:SP001520400
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 120A(Tc) 306W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN3R8-100BS,118
仓库库存编号:
1727-7109-1-ND
别名:1727-7109-1
568-9479-1
568-9479-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 79A(Tc) 41W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA030N10N3 G
仓库库存编号:
IPA030N10N3 G-ND
别名:IPA030N10N3G
IPA030N10N3GXKSA1
SP000464914
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 370W(Tc) TO-247AC
型号:
AUIRFP4110
仓库库存编号:
AUIRFP4110-ND
别名:SP001517386
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
STW60NE10
仓库库存编号:
497-2643-5-ND
别名:497-2643-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 50A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB
型号:
STP50NE10
仓库库存编号:
497-2644-5-ND
别名:497-2644-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 22A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF540
仓库库存编号:
497-2758-5-ND
别名:497-2758-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 14A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF530
仓库库存编号:
497-2780-5-ND
别名:497-2780-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF520
仓库库存编号:
497-2782-5-ND
别名:497-2782-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 50A(Tc) 180W(Tc) D2PAK
型号:
STB50NE10T4
仓库库存编号:
STB50NE10T4-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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