产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI47N10S33AKSA1
仓库库存编号：
IPI47N10S33AKSA1-ND
别名：IPI47N10S-33
IPI47N10S-33-ND
SP000225703
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI47N10SL26AKSA1
仓库库存编号：
IPI47N10SL26AKSA1-ND
别名：IPI47N10SL-26
IPI47N10SL-26-ND
SP000225704
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF540ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF540ZSTRL-ND
别名：SP001516510
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC173N10N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC173N10N3X1SA1-ND
别名：SP000899314
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N10S405ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N10S405ATMA1-ND
别名：SP001102592
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
型号：
AUIRLU3110Z
仓库库存编号：
AUIRLU3110Z-ND
别名：SP001520848
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI072N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI072N10N3GXKSA1-ND
别名：IPI072N10N3 G
IPI072N10N3 G-ND
IPI072N10N3G
SP000469900
SP000680674
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N10SL16ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N10SL16ATMA1TR-ND
别名：IPB70N10SL-16
IPB70N10SL-16-ND
SP000225700
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB042N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB042N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名：IPB042N10N3 G E8187
IPB042N10N3 G E8187-ND
IPB042N10N3 G E8187TR-ND
SP000939332
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS59N10DTRLP
仓库库存编号：
IRFS59N10DTRLP-ND
别名：SP001557452
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120N10S405AKSA1
仓库库存编号：
IPI120N10S405AKSA1-ND
别名：SP001102622
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 160A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
型号：
IPB039N10N3GE8187ATMA1
仓库库存编号：
IPB039N10N3GE8187ATMA1TR-ND
别名：IPB039N10N3 G E8187
IPB039N10N3 G E8187-ND
IPB039N10N3 G E8187TR-ND
SP000939340
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 59A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
型号：
AUIRF3710ZSTRL
仓库库存编号：
AUIRF3710ZSTRL-ND
别名：SP001519476
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 28A（Tc） 30W（Tc） PG-TO220FP
型号：
IPA180N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPA180N10N3GXKSA1-ND
别名：IPA1-ND80N10N3GXKSA1-ND
IPA180N10N3 G
IPA180N10N3 G-ND
IPA180N10N3G
SP000480108
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N10SL16AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N10SL16AKSA1-ND
别名：IPI70N10SL-16
IPI70N10SL-16-ND
SP000225705
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP70N10SL16AKSA1
仓库库存编号：
IPP70N10SL16AKSA1-ND
别名：IPP70N10SL-16
IPP70N10SL-16-ND
SP000225708
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB100N10S3-05
仓库库存编号：
IPB100N10S305ATMA1CT-ND
别名：IPB100N10S3-05CT
IPB100N10S3-05CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120N10S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB120N10S403ATMA1-ND
别名：SP001102598
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 103A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 103A（Tc） 333W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3610STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3610STRLPBFCT-ND
别名：IRF3610STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB180N10S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N10S403ATMA1-ND
别名：SP000915592
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRFB4410
仓库库存编号：
AUIRFB4410-ND
别名：SP001516730
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120N10S405AKSA1
仓库库存编号：
IPP120N10S405AKSA1-ND
别名：SP001102616
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 100V 97A（Tc） 230W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4410ZPBF
仓库库存编号：
IRFP4410ZPBF-ND
别名：SP001566138
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100N10S305AKSA1
仓库库存编号：
IPI100N10S305AKSA1-ND
别名：IPI100N10S3-05
IPI100N10S3-05-ND
SP000407128
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 73A（Tc） 190W（Tc） TO-220AB
型号：
AUIRFB4610
仓库库存编号：
AUIRFB4610-ND
别名：SP001515858
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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