产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(2409)
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
(113)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(2296)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(82)
Central Semiconductor Corp(2)
Diodes Incorporated(116)
EPC(27)
Fairchild/ON Semiconductor(357)
GeneSiC Semiconductor(1)
Infineon Technologies(596)
IXYS(172)
Microchip Technology(11)
Microsemi Corporation(105)
Nexperia USA Inc.(152)
NXP USA Inc.(46)
ON Semiconductor(127)
Panasonic Electronic Components(3)
Renesas Electronics America(27)
Rohm Semiconductor(19)
Sanken(17)
STMicroelectronics(118)
Taiwan Semiconductor Corporation(24)
Texas Instruments(19)
Toshiba Semiconductor and Storage(30)
Vishay Semiconductor Diodes Division(4)
Vishay Siliconix(354)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9A（Ta），40A（Tc） 2.2W（Ta），43W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF134N10NJ3 G
仓库库存编号：
BSF134N10NJ3 GCT-ND
别名：BSF134N10NJ3 GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） DPAK
型号：
AUIRFR540ZTRL
仓库库存编号：
AUIRFR540ZTRLTR-ND
别名：AUIRFR540ZTRLTR
SP001520296
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N10S406ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N10S406ATMA1-ND
别名：SP001101896
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB70N10S3L12ATMA1
仓库库存编号：
IPB70N10S3L12ATMA1TR-ND
别名：IPB70N10S3L-12
IPB70N10S3L-12-ND
SP000379631
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N10S4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N10S4L06ATMA1-ND
别名：SP000866562
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI180N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPI180N10N3GXKSA1-ND
别名：IPI180N10N3 G
IPI180N10N3 G-ND
IPI180N10N3G
SP000683076
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP16CN10NGHKSA1
仓库库存编号：
IPP16CN10NGHKSA1-ND
别名：SP000096469
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.4A（Ta），63A（Tc） 114W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC159N10LSF G
仓库库存编号：
BSC159N10LSFGATMA1CT-ND
别名：BSC159N10LSF GCT
BSC159N10LSF GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI50N10S3L16AKSA1
仓库库存编号：
IPI50N10S3L16AKSA1-ND
别名：IPI50N10S3L-16
IPI50N10S3L-16-ND
SP000407120
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB47N10SL-26
仓库库存编号：
IPB47N10SL26ATMA1CT-ND
别名：IPB47N10SL-26CT
IPB47N10SL-26CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 100V 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
SPP15P10PHXKSA1
仓库库存编号：
SPP15P10PHXKSA1-ND
别名：SP000683160
SPP15P10P H
SPP15P10P H-ND
SPP15P10PH
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA126N10N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPA126N10N3GXKSA1-ND
别名：IPA1-ND26N10N3GXKSA1-ND
IPA126N10N3 G
IPA126N10N3 G-ND
IPA126N10N3G
IPA26N10N3GXKSA1-ND
SP000485964
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N10S312AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N10S312AKSA1-ND
别名：IPI70N10S3-12
IPI70N10S3-12-ND
SP000407124
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N10S3L12AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N10S3L12AKSA1-ND
别名：IPI70N10S3L-12
IPI70N10S3L-12-ND
SP000427250
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP70N10S3L12AKSA1
仓库库存编号：
IPP70N10S3L12AKSA1-ND
别名：IPP70N10S3L-12
IPP70N10S3L-12-ND
SP000427252
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD050N10N5ATMA1
仓库库存编号：
IPD050N10N5ATMA1-ND
别名：SP001602184
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 56A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 56A（Tc） 143W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU4510PBF
仓库库存编号：
IRFU4510PBF-ND
别名：SP001557766
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 44A（Tc） 36W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA083N10N5XKSA1
仓库库存编号：
IPA083N10N5XKSA1-ND
别名：SP001226038
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 61A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 61A（Tc） 140W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4510PBF
仓库库存编号：
IRFSL4510PBF-ND
别名：SP001552374
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 61A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4510TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4510TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4510TRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Ta） 2.5W（Ta），62.5W（Tc） DIRECTFET? M4
型号：
AUIRL7766M2TR
仓库库存编号：
AUIRL7766M2TR-ND
别名：SP001516036
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET NCH 100V 58A PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 58A（Tc） 4.3W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
AUIRFN7110TR
仓库库存编号：
AUIRFN7110TR-ND
别名：SP001517416
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 260W（Tc） D2PAK
型号：
IRF8010STRLPBF
仓库库存编号：
IRF8010STRLPBFCT-ND
别名：IRF8010STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 100V 35A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） I-Pak
型号：
AUIRFU540Z
仓库库存编号：
AUIRFU540Z-ND
别名：SP001519728
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB065N10N3GATMA1
仓库库存编号：
IPB065N10N3GATMA1-ND
别名：SP001232588
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
搜索
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
