产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 980mA（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP321PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP321PH6327XTSA1-ND
别名：SP001058782
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号：
IPG16N10S461ATMA1
仓库库存编号：
IPG16N10S461ATMA1-ND
别名：SP000892972
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC045N10L3X1SA1
仓库库存编号：
IPC045N10L3X1SA1-ND
别名：SP001187424
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 1A（Tj） 带箔切割晶片
型号：
IPC045N10N3X1SA1
仓库库存编号：
IPC045N10N3X1SA1-ND
别名：SP000900304
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG16N10S461AATMA1
仓库库存编号：
IPG16N10S461AATMA1-ND
别名：SP001091952
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG16N10S4L61AATMA1
仓库库存编号：
IPG16N10S4L61AATMA1-ND
别名：SP001102932
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号：
IPG20N10S4L35ATMA1
仓库库存编号：
IPG20N10S4L35ATMA1-ND
别名：SP000859022
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR540ZTRPBF
仓库库存编号：
IRFR540ZTRPBF-ND
别名：SP001578120
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 77A DIRECTFET2
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.1A（Ta），14.4A（Tc） 2.4W（Ta），30W（Tc） DIRECTFET SB
型号：
AUIRF7665S2TR
仓库库存编号：
AUIRF7665S2TR-ND
别名：SP001519440
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR540ZTRLPBF
仓库库存编号：
IRFR540ZTRLPBF-ND
别名：SP001567620
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.8A（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9520NPBF
仓库库存编号：
IRF9520NPBF-ND
别名：*IRF9520NPBF
Q5233848
SP001554524
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N10S4L35AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N10S4L35AATMA1-ND
别名：SP001091928
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD60N10S412ATMA1
仓库库存编号：
IPD60N10S412ATMA1-ND
别名：SP001102936
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB35N10S3L26ATMA1
仓库库存编号：
IPB35N10S3L26ATMA1-ND
别名：SP000776044
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 91W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR540ZPBF
仓库库存编号：
IRFR540ZPBF-ND
别名：SP001555140
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
型号：
BSS119L6433HTMA1
仓库库存编号：
BSS119L6433HTMA1CT-ND
别名：BSS119 L6433CT
BSS119 L6433CT-ND
BSS119L6433
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG20N10S436AATMA1
仓库库存编号：
IPG20N10S436AATMA1-ND
别名：SP001102930
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.7A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
型号：
AUIRFR120ZTRL
仓库库存编号：
AUIRFR120ZTRL-ND
别名：SP001520338
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 48W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
AUIRLR120NTRL
仓库库存编号：
AUIRLR120NTRL-ND
别名：SP001516016
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7495TRPBF
仓库库存编号：
IRF7495TRPBFCT-ND
别名：*IRF7495TRPBF
IRF7495PBFCT
IRF7495PBFCT-ND
IRF7495TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 50A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N10S3L16ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N10S3L16ATMA1CT-ND
别名：IPD50N10S3L-16CT
IPD50N10S3L-16CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
型号：
IRL520NSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL520NSTRLPBF-ND
别名：SP001567056
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.9A（Ta），24A（Tc） 2.5W（Ta），41W（Tc） DIRECTFET? SC
型号：
AUIRF7647S2TR
仓库库存编号：
AUIRF7647S2TR-ND
别名：SP001520570
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70N10S312ATMA1
仓库库存编号：
IPD70N10S312ATMA1CT-ND
别名：IPD70N10S3-12CT
IPD70N10S3-12CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 70A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70N10S3L-12
仓库库存编号：
IPD70N10S3L12ATMA1CT-ND
别名：IPD70N10S3L-12CT
IPD70N10S3L-12CT-ND
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