产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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IXYS
MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 75A 300W Through Hole ECO-PAC2
型号:
VKM60-01P1
仓库库存编号:
VKM60-01P1-ND
别名:VKM 60-01 P1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 139A SP3
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
型号:
APTM10HM09FT3G
仓库库存编号:
APTM10HM09FT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTM10TAM19FPG
仓库库存编号:
APTM10TAM19FPG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 278A 780W Chassis Mount SP4
型号:
APTM10AM05FTG
仓库库存编号:
APTM10AM05FTG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 278A 780W Chassis Mount SP6
型号:
APTM10DHM05G
仓库库存编号:
APTM10DHM05G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 495A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM10DAM02G
仓库库存编号:
APTM10DAM02G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 495A(Tc) 1250W(Tc) SP6
型号:
APTM10SKM02G
仓库库存编号:
APTM10SKM02G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTM10TDUM09PG
仓库库存编号:
APTM10TDUM09PG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 139A 390W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTM10TAM09FPG
仓库库存编号:
APTM10TAM09FPG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 570A SP6
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 570A(Tc) 1660W(Tc) SP6
型号:
APTM10UM02FAG
仓库库存编号:
APTM10UM02FAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 495A 1250W Chassis Mount SP6
型号:
APTM10DUM02G
仓库库存编号:
APTM10DUM02G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 590A Y3-DCB
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 590A(Tc) 2200W(Tc) Y3-DCB
型号:
VMO550-01F
仓库库存编号:
VMO550-01F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 278A SP6
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 278A 780W Chassis Mount SP6
型号:
APTM10HM05FG
仓库库存编号:
APTM10HM05FG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 100V 680A Y3-LI
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 680A Chassis Mount Y3-Li
型号:
VMM650-01F
仓库库存编号:
VMM650-01F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 690A(Tc) 2500W(Tc) Y3-DCB
型号:
VMO650-01F
仓库库存编号:
VMO650-01F-ND
别名:Q1434129
VM0650-01F
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS119NH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSS119NH6433XTMA1-ND
别名:SP000996564
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SAWN BARE DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1A(Tj) 带箔切割晶片
型号:
IPC020N10L3X1SA1
仓库库存编号:
IPC020N10L3X1SA1-ND
别名:SP001006962
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP6-6
型号:
BSL372SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL372SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942920
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS169H6906XTSA1
仓库库存编号:
BSS169H6906XTSA1-ND
别名:SP000702582
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.4A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.4A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL296SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL296SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942912
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2A(Ta) 2W(Ta) PG-TSOP-6-1
型号:
BSL373SNH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL373SNH6327XTSA1-ND
别名:SP000942916
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 1.2A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP296NH6433XTMA1
仓库库存编号:
BSP296NH6433XTMA1-ND
别名:SP001098610
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.3A(Ta),18A(Tc) 29W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC440N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC440N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC440N10NS3 GCT
BSC440N10NS3 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.2A(Ta),20A(Tc) 2.8W(Ta),29W(Tc) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFHM3911TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM3911TRPBF-ND
别名:SP001575850
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 4A(Tc) 38W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04P10PGBTMA1
仓库库存编号:
SPD04P10PGBTMA1TR-ND
别名:SP000212230
SPD04P10P G
SPD04P10P G-ND
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