产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 300A(Tc) 1500W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB300N10P
仓库库存编号:
IXFB300N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 200A(Tc) 1040W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX200N10L2
仓库库存编号:
IXTX200N10L2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 170A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK170N10
仓库库存编号:
IXFK170N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 250A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 250A 730W SOT-227B
型号:
IXTE250N10
仓库库存编号:
IXTE250N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount 24-SMD
型号:
GMM3X100-01X1-SMDSAM
仓库库存编号:
GMM3X100-01X1-SMDSAM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM100-01X1-SLSAM
仓库库存编号:
GWM100-01X1-SLSAM-ND
别名:GWM100-01X1-SL SAM
GWM100-01X1-SL SAM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
型号:
GWM100-01X1-SMDSAM
仓库库存编号:
GWM100-01X1-SMDSAM-ND
别名:GWM100-01X1-SMD SAM
GWM100-01X1-SMD SAM-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 200A(Tc) 550W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN200N10T
仓库库存编号:
IXTN200N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 142A(Tc) 450W(Tc) SOT-227
型号:
APT10M11JVRU2
仓库库存编号:
APT10M11JVRU2-ND
别名:APT10M11JVRU2MI
APT10M11JVRU2MI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 76A(Tc) 310W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR80N10Q
仓库库存编号:
IXFR80N10Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-268
型号:
IXTT75N10
仓库库存编号:
IXTT75N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 295A(Tc) 1070W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN300N10P
仓库库存编号:
IXFN300N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 334A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 334A(Tc) 680W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F420N10T
仓库库存编号:
MMIX1F420N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 170A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN170N10
仓库库存编号:
IXFN170N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
型号:
APTM10DDAM19T3G
仓库库存编号:
APTM10DDAM19T3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
型号:
APTM10DSKM19T3G
仓库库存编号:
APTM10DSKM19T3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 210A SOT-227
详细描述:底座安装 P 沟道 100V 210A(Tc) 830W(Tc) SOT-227B
型号:
IXTN210P10T
仓库库存编号:
IXTN210P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 154A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 154A(Tc) 480W(Tc) SP1
型号:
APTML10UM09R004T1AG
仓库库存编号:
APTML10UM09R004T1AG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET P-CH 100V 11A TO-204AA
详细描述:通孔 P 沟道 100V 11A(Tc) 4W(Ta),75W(Tc) TO-204AA
型号:
JANTX2N6804
仓库库存编号:
1088-1031-ND
别名:1088-1031
1088-1031-MIL
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 70A 208W Chassis Mount SP3
型号:
APTM10HM19FT3G
仓库库存编号:
APTM10HM19FT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
型号:
APTM10DDAM09T3G
仓库库存编号:
APTM10DDAM09T3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 139A 390W Chassis Mount SP3
型号:
APTM10DSKM09T3G
仓库库存编号:
APTM10DSKM09T3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 278A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM10DAM05TG
仓库库存编号:
APTM10DAM05TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 278A SP4
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 278A(Tc) 780W(Tc) SP4
型号:
APTM10SKM05TG
仓库库存编号:
APTM10SKM05TG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 154A (Tc) 480W Chassis Mount SP3
型号:
APTML102UM09R004T3AG
仓库库存编号:
APTML102UM09R004T3AG-ND
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