产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 140A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 140A(Tc) 568W(Tc) TO-268
型号:
IXTT140P10T
仓库库存编号:
IXTT140P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 420A(Tc) 1670W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX420N10T
仓库库存编号:
IXFX420N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 420A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 420A(Tc) 1670W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK420N10T
仓库库存编号:
IXFK420N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 320A(Tc) 1000W(Tc) TO-268
型号:
IXFT320N10T2
仓库库存编号:
IXFT320N10T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 80A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT80N10Q
仓库库存编号:
IXFT80N10Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 100V 62A, 54A 89W, 132W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMP76-010T
仓库库存编号:
FMP76-010T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 170A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 100V 170A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX170P10P
仓库库存编号:
IXTX170P10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 100V 110A(Tc) 270W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR140P10T
仓库库存编号:
IXTR140P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 180A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX180N10
仓库库存编号:
IXFX180N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 75A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMM75-01F
仓库库存编号:
FMM75-01F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 250A(Tc) 1250W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX250N10P
仓库库存编号:
IXFX250N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 250A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 100V 250A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK250N10P
仓库库存编号:
IXFK250N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.7A(Ta) 模具
型号:
EPC8010ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8010ENGR-ND
别名:917-EPC8010ENGR
EPC8010ENGJ
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 2.5A(Ta) 模具
型号:
EPC8003ENGR
仓库库存编号:
917-EPC8003ENGR-ND
别名:917-EPC8003ENGR
EPC8003ENGK
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 165A(Tc) 400W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR180N10
仓库库存编号:
IXFR180N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 150A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 150A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK150N10
仓库库存编号:
IXFK150N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 210A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 100V 210A(Tc) 1040W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXTX210P10T
仓库库存编号:
IXTX210P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK100N10
仓库库存编号:
IXFK100N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 100V ISOPLUS247?
型号:
IXFR75N10Q
仓库库存编号:
IXFR75N10Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET 6N-CH 100V 90A 24-SMD
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 90A Surface Mount 24-SMD
型号:
GMM3X100-01X1-SMD
仓库库存编号:
GMM3X100-01X1-SMD-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 200A(Tc) 680W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN200N10P
仓库库存编号:
IXFN200N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET 2N-CH 100V 75A I4-PAC-5
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 75A Surface Mount ISOPLUS i4-PAC?
型号:
FMK75-01F
仓库库存编号:
FMK75-01F-ND
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 100V 195A(Tc) 595W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR210P10T
仓库库存编号:
IXTR210P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 176A ISOPLUS227
详细描述:底座安装 N 沟道 100V 176A(Tc) 500W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE180N10
仓库库存编号:
IXFE180N10-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH60N10
仓库库存编号:
IXTH60N10-ND
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