产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 160A(Tc) 430W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA160N10T7
仓库库存编号:
IXTA160N10T7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 360W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ75N10P
仓库库存编号:
IXTQ75N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NLT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NLT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-263-7(IXTA..7)
型号:
IXTA180N10T7
仓库库存编号:
IXTA180N10T7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NLWFT3G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NLT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9W(Ta), 198W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS6B03NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFS6B03NLWFT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 70A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK1002DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK1002DPP-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA180N10T2
仓库库存编号:
IXFA180N10T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 36A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 36A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH36P10
仓库库存编号:
IXTH36P10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP180N10T2
仓库库存编号:
IXFP180N10T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 70A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 70A(Ta) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
RJK1002DPN-E0#T2
仓库库存编号:
RJK1002DPN-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ110N10P
仓库库存编号:
IXTQ110N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Sanken
MOSFET 4N-CH 100V 10A 12SIP
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel 100V 10A 5W Through Hole 12-SIP
型号:
SLA5037
仓库库存编号:
SLA5037-ND
别名:SLA5037 DK
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 52A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 52A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH52P10P
仓库库存编号:
IXTH52P10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH110N10P
仓库库存编号:
IXFH110N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 140A(Tc) 600W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ140N10P
仓库库存编号:
IXTQ140N10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Ta) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK1001DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK1001DPP-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 110A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 480W(Tc) TO-268
型号:
IXTT110N10P
仓库库存编号:
IXTT110N10P-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 230A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 230A(Tc) 650W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH230N10T
仓库库存编号:
IXFH230N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 36A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) TO-268
型号:
IXTT36P10
仓库库存编号:
IXTT36P10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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