产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9520STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9520STRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.8A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9520STRRPBF
仓库库存编号：
IRF9520STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），77W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS6B14NT1G
仓库库存编号：
NTMFS6B14NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS6B14NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 31A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 40W（Tc） TO-220F
型号：
FKI10198
仓库库存编号：
FKI10198-ND
别名：FKI10198 DK
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 44A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Ta），124A（Tc） 2.5W（Ta），125W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS86181
仓库库存编号：
FDMS86181CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 30W（Tc） LFPAK
型号：
HAT2173H-EL-E
仓库库存编号：
HAT2173H-EL-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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EPC
TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 模具
型号：
EPC2016
仓库库存编号：
917-1027-1-ND
别名：917-1027-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 7A 8-PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 7A 2.1W Surface Mount 8-PQFN (3.3x5)
型号：
FDMD84100
仓库库存编号：
FDMD84100CT-ND
别名：FDMD84100CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR110
仓库库存编号：
IRLR110-ND
别名：*IRLR110
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR110TR
仓库库存编号：
IRLR110TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR110TRL
仓库库存编号：
IRLR110TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU110
仓库库存编号：
IRLU110-ND
别名：*IRLU110
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 2.8W（Ta） TO-220AB
型号：
DMNH10H028SCT
仓库库存编号：
DMNH10H028SCTDI-5-ND
别名：DMNH10H028SCTDI-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 100V 105A TO262
详细描述：通孔 N 沟道 14.5A（Ta），105A（Tc） 1.9W（Ta），300W（Tc） TO-262
型号：
AOW292
仓库库存编号：
785-1730-5-ND
别名：785-1730-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 208W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP100N10
仓库库存编号：
FDP100N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 105A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 14.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），300W（Tc） TO-220
型号：
AOT292L
仓库库存编号：
785-1636-5-ND
别名：785-1636-5
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V 70A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263
型号：
NP70N10KUF-E1-AY
仓库库存编号：
NP70N10KUF-E1-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PTNG 100V/20V NCH POWER TRENCH M
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS10C4D2N
仓库库存编号：
FDMS10C4D2N-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 105A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），105A（Tc） 2.1W（Ta），300W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
AOB292L
仓库库存编号：
785-1618-1-ND
别名：785-1618-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD40N10-25-T4-E3
仓库库存编号：
SUD40N10-25-T4-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120
仓库库存编号：
IRLR120-ND
别名：*IRLR120
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120TR
仓库库存编号：
IRLR120TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120TRL
仓库库存编号：
IRLR120TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 360W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA130N10T-TRL
仓库库存编号：
IXTA130N10T-TRLCT-ND
别名：IXTA130N10T-TRLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
详细描述：通孔 N 沟道 36A（Ta） 1W（Ta），50W（Tc） TO-251（MP-3）
型号：
2SK3482-AZ
仓库库存编号：
2SK3482-AZ-ND
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