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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 8W（Tc） SOT-223
  
  型号：BUK98180-100A/CUX
  仓库库存编号：1727-2225-1-ND
  别名：1727-2225-1
  568-12493-1
  568-12493-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
  
  型号：RSR010N10TL
  仓库库存编号：RSR010N10TLCT-ND
  别名：RSR010N10TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SuperSOT-3
  
  型号：FDN8601
  仓库库存编号：FDN8601CT-ND
  别名：FDN8601CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N10S3L34ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N10S3L-34CT
  IPD30N10S3L-34CT-ND
  IPD30N10S3L34ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVN2110GTA
  仓库库存编号：ZVN2110GCT-ND
  别名：ZVN2110G
  ZVN2110GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta） 15W（Tc） CPT3
  
  型号：RSD050N10TL
  仓库库存编号：RSD050N10TLCT-ND
  别名：RSD050N10TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.6A 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：ZXMN10A08DN8TA
  仓库库存编号：ZXMN10A08DN8TACT-ND
  别名：ZXMN10A08DN8TACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSZ160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSZ160N10NS3 GINCT
  BSZ160N10NS3 GINCT-ND
  BSZ160N10NS3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 2.5W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4100DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4100DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4100DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta），96W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19533Q5A
  仓库库存编号：296-37479-1-ND
  别名：296-37479-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS890DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS890DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS890DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 19.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.7A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4090DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4090DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4090DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ097N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSZ097N10NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 125W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK33S10N1Z,LQ
  仓库库存编号：TK33S10N1ZLQCT-ND
  别名：TK33S10N1ZLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9629-100B,118
  仓库库存编号：1727-4716-1-ND
  别名：1727-4716-1
  568-5866-1
  568-5866-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Ta） 70W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP301-TL-H
  仓库库存编号：869-1086-1-ND
  别名：869-1086-1
  ATP301TLH
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 50 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），63W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19534Q5AT
  仓库库存编号：296-37838-1-ND
  别名：296-37838-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD068N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD068N10N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 118W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD19534KCS
  仓库库存编号：296-38676-5-ND
  别名：296-38676-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 2.5W（Ta），156W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC035N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC035N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC035N10NS5ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 40A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD40N10-25-E3
  仓库库存编号：SUD40N10-25-E3CT-ND
  别名：SUD40N10-25-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 50A DPAK TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） TO-252
  
  型号：SUD70090E-GE3
  仓库库存编号：SUD70090E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 96A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP085N10A_F102
  仓库库存编号：FDP085N10A_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 100V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 150W（Tc） TO-220
  
  型号：STP110N10F7
  仓库库存编号：497-13551-5-ND
  别名：497-13551-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4710PBF
  仓库库存编号：IRFB4710PBF-ND
  别名：*IRFB4710PBF
  SP001556118
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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