产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 25A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 50W(Tc) TO-220
型号:
STP25N10F7
仓库库存编号:
497-14572-5-ND
别名:497-14572-5
STP25N10F7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Ta) 214W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19531KCS
仓库库存编号:
296-37480-5-ND
别名:296-37480-5
CSD19531KCS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 18A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 18A(Tc) 83W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP18P10T
仓库库存编号:
IXTP18P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 176W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP60N10T
仓库库存编号:
IXTP60N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 60A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 176W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA60N10T
仓库库存编号:
IXTA60N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 5.2A(Tc) 37W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9520GPBF
仓库库存编号:
IRFI9520GPBF-ND
别名:*IRFI9520GPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
STP40NF10
仓库库存编号:
497-3188-5-ND
别名:497-3188-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 45A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 45A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP45N10F7
仓库库存编号:
497-14573-5-ND
别名:497-14573-5
STP45N10F7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 21A TO-247AC
详细描述:通孔 P 沟道 21A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP9140PBF
仓库库存编号:
IRFP9140PBF-ND
别名:*IRFP9140PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP80N10F7
仓库库存编号:
497-14834-5-ND
别名:497-14834-5
STP80N10F7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 310W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75645P3
仓库库存编号:
HUF75645P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP130N10T
仓库库存编号:
IXTP130N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 76A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 76A(Tc) 298W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH76P10T
仓库库存编号:
IXTH76P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:
IXTH75N10
仓库库存编号:
IXTH75N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta),30A(Tc) 3.1W(Ta) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB86102LZ
仓库库存编号:
FDB86102LZCT-ND
别名:FDB86102LZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF520NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF520NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF520NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0110N3-G
仓库库存编号:
TN0110N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 22A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 2.1W(Ta),27W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2910L
仓库库存编号:
785-1615-5-ND
别名:785-1615-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 19A(Tc) 3.7W(Ta),150W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9540STRLPBF
仓库库存编号:
IRF9540STRLPBFCT-ND
别名:IRF9540STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 100V 52A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 72W(Tc) TO-220
型号:
TK22E10N1,S1X
仓库库存编号:
TK22E10N1S1X-ND
别名:TK22E10N1,S1X(S
TK22E10N1S1X
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 30W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK22A10N1,S4X
仓库库存编号:
TK22A10N1S4X-ND
别名:TK22A10N1,S4X(S
TK22A10N1,S4X-ND
TK22A10N1S4X
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 103W(Tc) TO-220
型号:
TK34E10N1,S1X
仓库库存编号:
TK34E10N1S1X-ND
别名:TK34E10N1,S1X(S
TK34E10N1S1X
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 55A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55A(Tc) 155W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP55N10
仓库库存编号:
FQP55N10-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 160W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1310NPBF
仓库库存编号:
IRF1310NPBF-ND
别名:*IRF1310NPBF
SP001553864
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 44A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 130W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP44N10T
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