产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.6A, 5.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7317TRPBF
仓库库存编号:
IRF7317PBFCT-ND
别名:*IRF7317TRPBF
IRF7317PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 35A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7623DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7623DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7623DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A VML1006
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) VML1006
型号:
RV2C001ZPT2L
仓库库存编号:
RV2C001ZPT2LCT-ND
别名:RV2C001ZPT2LCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 1.3W(Ta),3.1W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5853DDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5853DDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5853DDC-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Tc) 2.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA425EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA425EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA425EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.1A(Tc) 1.05W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN2005UFG-13
仓库库存编号:
DMN2005UFG-13DICT-ND
别名:DMN2005UFG-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A SMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS612EDNT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS612EDNT-T1-GE3CT-ND
别名:SIS612EDNT-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta) 6-DSBGA
型号:
CSD25304W1015T
仓库库存编号:
296-38024-1-ND
别名:296-38024-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 3.9A 1W Surface Mount 6-Micro Foot?
型号:
SI8902EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8902EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8902EDB-T2-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4378DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4378DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4378DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 1.03A, 700mA 450mW Surface Mount SOT-563
型号:
DMC2400UV-13
仓库库存编号:
DMC2400UV-13DICT-ND
别名:DMC2400UV-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 500mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ950UPELYL
仓库库存编号:
1727-2599-1-ND
别名:1727-2599-1
568-13058-1
568-13058-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Ta) 500mW(Ta) CST3
型号:
SSM3J56ACT,L3F
仓库库存编号:
SSM3J56ACTL3FCT-ND
别名:SSM3J56ACTL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
SI3415-TP
仓库库存编号:
SI3415-TPMSCT-ND
别名:SI3415-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
型号:
BSD235NH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSD235NH6327XTSA1CT-ND
别名:BSD235N H6327CT
BSD235N H6327CT-ND
BSD235NH6327
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 350mW(Ta) SOT-23
型号:
SI2321-TP
仓库库存编号:
SI2321-TPMSCT-ND
别名:SI2321-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 700mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2301ACX RFG
仓库库存编号:
TSM2301ACX RFGTR-ND
别名:TSM2301ACX RFGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 700mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2301ACX RFG
仓库库存编号:
TSM2301ACX RFGCT-ND
别名:TSM2301ACX RFGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.8A(Tc) 700mW(Ta) SOT-23
型号:
TSM2301ACX RFG
仓库库存编号:
TSM2301ACX RFGDKR-ND
别名:TSM2301ACX RFGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM650P02CX RFG
仓库库存编号:
TSM650P02CX RFGTR-ND
别名:TSM650P02CX RFGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM650P02CX RFG
仓库库存编号:
TSM650P02CX RFGCT-ND
别名:TSM650P02CX RFGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM650P02CX RFG
仓库库存编号:
TSM650P02CX RFGDKR-ND
别名:TSM650P02CX RFGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 0.45A SC89-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 450mA(Ta) 190mW(Ta)
型号:
SI1013CX-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1013CX-T1-GE3CT-ND
别名:SI1013CX-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta)
型号:
SSM3J355R,LF
仓库库存编号:
SSM3J355RLFCT-ND
别名:SSM3J355RLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 20V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.7A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
型号:
TSM500P02CX RFG
仓库库存编号:
TSM500P02CX RFGTR-ND
别名:TSM500P02CX RFGTR
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