产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(64)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(64)
筛选品牌
Diodes Incorporated (64)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
详细描述:表面贴装 P 沟道 10.3A(Ta) 2W(Ta) U-DFN2020-6(F 类)
型号:
DMP3026SFDF-7
仓库库存编号:
DMP3026SFDF-7-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
DMN2009LSS-13
仓库库存编号:
DMN2009LSS-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 11A(Ta) 2W(Ta) 8-SOP
型号:
DMP3035LSS-13
仓库库存编号:
DMP3035LSS-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 2W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMNH6042SK3-13
仓库库存编号:
DMNH6042SK3-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 30V 15A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),55A(Tc) 2W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMNH3010LK3-13
仓库库存编号:
DMNH3010LK3-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.7A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP10A17GQTC
仓库库存编号:
ZXMP10A17GQTC-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 60A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 2W(Ta) TO-252-4L
型号:
DMNH6012LK3-13
仓库库存编号:
DMNH6012LK3-13-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 35V 6.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 35V 4.8A(Ta),6.7A(Tc) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXM64N035GTA
仓库库存编号:
ZXM64N035GCT-ND
别名:ZXM64N035GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 35V 3.8A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 35V 3.8A(Ta),5.3A(Tc) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXM64P035GTA
仓库库存编号:
ZXM64P035GCT-ND
别名:ZXM64P035GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 500mA(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZVN2110GTC
仓库库存编号:
ZVN2110GTC-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.9A(Ta),4A(Tc) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXM62P03GTA
仓库库存编号:
ZXM62P03GTA-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 3.1A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMN6A11GTC
仓库库存编号:
ZXMN6A11GTC-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 1.7A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMP10A17GTA
仓库库存编号:
ZXMP10A17GCT-ND
别名:ZXMP10A17GCT
ZXMP10A17GTA-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 4.8A(Ta) 2W(Ta) SOT-223
型号:
ZXMN6A25G
仓库库存编号:
ZXMN6A25GCT-ND
别名:ZXMN6A25GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Diodes Incorporated,规格:功率耗散(最大值) 2W(Ta),
无铅
搜索
1
2
3
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号