产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N03S207ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N03S207ATMA1TR-ND
别名：IPD50N03S2-07
IPD50N03S2-07-ND
SP000254462
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD127N06LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD127N06LGBTMA1CT-ND
别名：IPD127N06LG
IPD127N06LGINCT
IPD127N06LGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N06S2L13ATMA2
仓库库存编号：
IPD50N06S2L13ATMA2-ND
别名：SP001063626
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N08S222ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N08S222ATMA1TR-ND
别名：IPD30N08S2-22
IPD30N08S2-22-ND
SP000252169
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
型号：
IPD50N06S214ATMA2
仓库库存编号：
IPD50N06S214ATMA2-ND
别名：SP001063624
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N03S4L02ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N03S4L02ATMA1TR-ND
别名：IPB80N03S4L-02
IPB80N03S4L-02-ND
IPB80N03S4L-02INTR
IPB80N03S4L-02INTR-ND
SP000273282
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD90N04S304ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N04S304ATMA1CT-ND
别名：IPD90N04S3-04CT
IPD90N04S3-04CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N10S406ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N10S406ATMA1-ND
别名：SP001101896
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-313
型号：
IPD90N10S4L06ATMA1
仓库库存编号：
IPD90N10S4L06ATMA1-ND
别名：SP000866562
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S304ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S304ATMA1CT-ND
别名：IPB80N04S3-04CT
IPB80N04S3-04CT-ND
IPB80N04S304
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N03S4L03AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N03S4L03AKSA1-ND
别名：IPI80N03S4L-03
IPI80N03S4L-03-ND
SP000273285
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N06S2-15
仓库库存编号：
IPD30N06S2-15CT-ND
别名：IPD30N06S2-15CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP120P04P404AKSA1
仓库库存编号：
IPP120P04P404AKSA1-ND
别名：SP000842278
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO263-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB120P04P404ATMA1
仓库库存编号：
IPB120P04P404ATMA1-ND
别名：SP000842270
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120P04P404AKSA1
仓库库存编号：
IPI120P04P404AKSA1-ND
别名：SP000842274
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 40V 120A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI120P04P4L03AKSA1
仓库库存编号：
IPI120P04P4L03AKSA1-ND
别名：SP000842296
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP062NE7N3GXKSA1
仓库库存编号：
IPP062NE7N3GXKSA1-ND
别名：IPP062NE7N3 G
IPP062NE7N3 G-ND
IPP062NE7N3G
SP000819768
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 250V 25A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI600N25N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI600N25N3GAKSA1-ND
别名：IPI600N25N3 G
IPI600N25N3 G-ND
IPI600N25N3G
SP000714316
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 200V 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI320N20N3GAKSA1
仓库库存编号：
IPI320N20N3GAKSA1-ND
别名：IPI320N20N3 G
IPI320N20N3 G-ND
IPI320N20N3G
SP000714312
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 34A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD320N20N3GBTMA1
仓库库存编号：
IPD320N20N3GBTMA1CT-ND
别名：IPD320N20N3 GCT
IPD320N20N3 GCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 82A（Tc） 136W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL70N10F3
仓库库存编号：
497-13350-1-ND
别名：497-13350-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 61A（Tc） 136W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9618-55A,118
仓库库存编号：
568-9679-1-ND
别名：568-9679-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 61A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK9518-55A,127
仓库库存编号：
568-9736-5-ND
别名：568-9736-5
934056811127
BUK9518-55A
BUK9518-55A,127-ND
BUK9518-55A-ND
BUK951855A127
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 42A（Tc） 136W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP6413ANG
仓库库存编号：
NTP6413ANGOS-ND
别名：NTP6413ANG-ND
NTP6413ANGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 96A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 96A（Tc） 136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50N06-07L-GE3
仓库库存编号：
SUD50N06-07L-GE3CT-ND
别名：SUD50N06-07L-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 136W（Tc）,
无铅
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