产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M65JFLL
仓库库存编号:
APT50M65JFLL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT5010LLLG
仓库库存编号:
APT5010LLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT5010LFLLG
仓库库存编号:
APT5010LFLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 33A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT8020JLL
仓库库存编号:
APT8020JLL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M65JLL
仓库库存编号:
APT50M65JLL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 520W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT37F50B
仓库库存编号:
APT37F50B-ND
别名:APT37F50BMI
APT37F50BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 520W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT5010B2FLLG
仓库库存编号:
APT5010B2FLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 18A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APL1001J
仓库库存编号:
APL1001J-ND
别名:APL1001JMI
APL1001JMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
详细描述:底座安装 N 沟道 20A(Tc) 520W(Tc) SP1
型号:
APTML100U60R020T1AG
仓库库存编号:
APTML100U60R020T1AG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 37A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 37A(Tc) 520W(Tc) D3Pak
型号:
APT37F50S
仓库库存编号:
APT37F50S-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 500V 46A(Tc) 520W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT5010B2LLG
仓库库存编号:
APT5010B2LLG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT20M22LVRG
仓库库存编号:
APT20M22LVRG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 100A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT20M22LVFRG
仓库库存编号:
APT20M22LVFRG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 25A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10035JLL
仓库库存编号:
APT10035JLL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 100V 100A(Tc) 520W(Tc) T-MAX?
型号:
APT10M11B2VFRG
仓库库存编号:
APT10M11B2VFRG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT20M22B2VFRG
仓库库存编号:
APT20M22B2VFRG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 200V 100A(Tc) 520W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT20M22B2VRG
仓库库存编号:
APT20M22B2VRG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 28A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 520W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT28F60B
仓库库存编号:
APT28F60B-ND
别名:APT28F60BMI
APT28F60BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 400V 57A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 400V 57A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT40M70LVFRG
仓库库存编号:
APT40M70LVFRG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 30A(Tc) 520W(Tc) D3Pak
型号:
APT28F60S
仓库库存编号:
APT28F60S-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
详细描述:底座安装 N 沟道 1200V 19A(Tc) 520W(Tc) SOT-227
型号:
APT12057JLL
仓库库存编号:
APT12057JLL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 400V 56A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT40M75JN
仓库库存编号:
APT40M75JN-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 43A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT5012JN
仓库库存编号:
APT5012JN-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:功率耗散(最大值) 520W(Tc),
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