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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 8A（Ta），79A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI2532
  仓库库存编号：FDI2532-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI3632
  仓库库存编号：FDI3632FS-ND
  别名：FDI3632-ND
  FDI3632FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76445P3
  仓库库存编号：HUF76445P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76445S3S
  仓库库存编号：HUF76445S3S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76445S3ST
  仓库库存编号：HUF76445S3ST-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76645S3S
  仓库库存编号：HUF76645S3S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76645P3
  仓库库存编号：HUF76645P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA76445P3
  仓库库存编号：HUFA76445P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76445S3S
  仓库库存编号：HUFA76445S3S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA75645P3
  仓库库存编号：HUFA75645P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76445S3ST
  仓库库存编号：HUFA76445S3ST-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76645S3S
  仓库库存编号：HUFA76645S3S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-220A
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 75A（Tc） 310W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA76645P3
  仓库库存编号：HUFA76645P3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 75A（Tc） 310W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF75645S3S
  仓库库存编号：HUF75645S3S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 35A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 35A（Tc） 310W（Tc） TO-3P
  
  型号：FQA35N40
  仓库库存编号：FQA35N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N50F
  仓库库存编号：FQA28N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N50
  仓库库存编号：FQA28N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 28.4A TO-3PN
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 28.4A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA28N50_F109
  仓库库存编号：FQA28N50_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 10.5A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT1001R1BN
  仓库库存编号：APT1001R1BN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 11A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT1001RBN
  仓库库存编号：APT1001RBN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 23A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 23A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT5025BN
  仓库库存编号：APT5025BN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT6040BN
  仓库库存编号：APT6040BN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 18A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT6040BNG
  仓库库存编号：APT6040BNG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 310W（Tc） TO-247AD
  
  型号：APT8075BN
  仓库库存编号：APT8075BN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 95A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 95A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP1405
  仓库库存编号：IRFP1405-ND
  别名：*IRFP1405
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 310W（Tc）,
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  含铅
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