产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.8A(Ta),42A(Tc) 60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC160N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3 GINCT-ND
BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R800CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R800CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R800CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD30N03S2L20ATMA1
仓库库存编号:
IPD30N03S2L20ATMA1CT-ND
别名:IPD30N03S2L20ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R600P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD80R600P7ATMA1CT-ND
别名:IPD80R600P7ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU80R600P7AKMA1
仓库库存编号:
IPU80R600P7AKMA1-ND
别名:SP001644622
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS80R600P7AKMA1
仓库库存编号:
IPS80R600P7AKMA1-ND
别名:SP001644630
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 60W(Tc) PG-TO220-3
型号:
IPP80R600P7XKSA1
仓库库存编号:
IPP80R600P7XKSA1-ND
别名:SP001644610
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L-20
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20INTR-ND
别名:SP000013488
SPD30N03S2L20INTR
SPD30N03S2L20XT
SPD30N03S2L20XT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 18A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4212PBF
仓库库存编号:
IRFB4212PBF-ND
别名:SP001555992
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD20N03L
仓库库存编号:
IPD20N03L-ND
别名:IPD20N03LT
SP000016259
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU20N03L G
仓库库存编号:
IPU20N03L G-ND
别名:IPU20N03LGX
IPU20N03LGXK
SP000018246
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R600CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R600CPAKSA1-ND
别名:IPI60R600CP
IPI60R600CP-ND
SP000405896
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600CPXKSA1-ND
别名:IPP60R600CP
IPP60R600CP-ND
SP000405888
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R600CPATMA1
仓库库存编号:
IPB60R600CPATMA1CT-ND
别名:IPB60R600CPCT
IPB60R600CPCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R600CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R600CPCT
IPD60R600CPCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
无铅
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MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD30N03S2L20GBTMA1
仓库库存编号:
SPD30N03S2L20GBTMA1CT-ND
别名:SPD30N03S2L-20 GCT
SPD30N03S2L-20 GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600CPATMA1
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IPD60R600CPATMA1-ND
别名:SP000680642
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 60W(Tc),
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