产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF640NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF640NSTRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-5
型号:
SPD50P03L G
仓库库存编号:
SPD50P03LGINCT-ND
别名:SPD50P03LGINCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB054N08N3 G
仓库库存编号:
IPB054N08N3 GCT-ND
别名:IPB054N08N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD053N08N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD053N08N3GATMA1CT-ND
别名:IPD053N08N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD200N15N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD200N15N3GATMA1CT-ND
别名:IPD200N15N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB200N15N3 G
仓库库存编号:
IPB200N15N3 GCT-ND
别名:IPB200N15N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP052NE7N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP052NE7N3GXKSA1-ND
别名:IPP052NE7N3 G
IPP052NE7N3 G-ND
IPP052NE7N3G
SP000641726
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 150W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP200N15N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP200N15N3GXKSA1-ND
别名:IPP200N15N3 G
IPP200N15N3 G-ND
IPP200N15N3G
SP000680884
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB049NE7N3 G
仓库库存编号:
IPB049NE7N3 GCT-ND
别名:IPB049NE7N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S402ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S402ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD100N04S402ATMA1
仓库库存编号:
IPD100N04S402ATMA1CT-ND
别名:IPD100N04S402ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
IPC100N04S51R2ATMA1
仓库库存编号:
IPC100N04S51R2ATMA1CT-ND
别名:IPC100N04S51R2ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC13DN30NSFDATMA1
仓库库存编号:
BSC13DN30NSFDATMA1CT-ND
别名:BSC13DN30NSFDATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC350N20NSFDATMA1
仓库库存编号:
BSC350N20NSFDATMA1CT-ND
别名:BSC350N20NSFDATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Tc) 150W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC670N25NSFDATMA1
仓库库存编号:
BSC670N25NSFDATMA1CT-ND
别名:BSC670N25NSFDATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640NPBF
仓库库存编号:
IRF640NPBF-ND
别名:*IRF640NPBF
SP001570078
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 72A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 72A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ48VPBF
仓库库存编号:
IRFZ48VPBF-ND
别名:*IRFZ48VPBF
SP001550284
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP072N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP072N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP072N10N3 G
IPP072N10N3 G-ND
IPP072N10N3G
SP000680830
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-262
型号:
IRF640NLPBF
仓库库存编号:
IRF640NLPBF-ND
别名:*IRF640NLPBF
SP001563296
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP057N08N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP057N08N3GXKSA1-ND
别名:IPP057N08N3 G
IPP057N08N3 G-ND
IPP057N08N3G
SP000680810
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO262-3-1
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90N04S402AKSA1
仓库库存编号:
IPI90N04S402AKSA1-ND
别名:IPI90N04S4-02
IPI90N04S4-02-ND
SP000646194
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB03N03LB G
仓库库存编号:
IPB03N03LBGINCT-ND
别名:IPB03N03LBG
IPB03N03LBGINCT
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MOSFET N-CH 100V 90A
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD068N10N3GATMA1
仓库库存编号:
IPD068N10N3GATMA1CT-ND
别名:IPD068N10N3GATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 P 沟道 180A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB180P04P4L02ATMA1
仓库库存编号:
IPB180P04P4L02ATMA1CT-ND
别名:IPB180P04P4L02ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 150W(Tc),
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MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 70A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD042P03L3GATMA1
仓库库存编号:
IPD042P03L3GATMA1CT-ND
别名:IPD042P03L3GATMA1CT
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