产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(101)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(101)
筛选品牌
Infineon Technologies (101)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD80R1K0CEATMA1
仓库库存编号:
IPD80R1K0CEATMA1CT-ND
别名:IPD80R1K0CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD06N03LB G
仓库库存编号:
IPD06N03LBGINCT-ND
别名:IPD06N03LBG
IPD06N03LBGINCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R399CPXKSA1-ND
别名:IPA50R399CP
IPA50R399CP-ND
SP000234987
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R399CPXKSA1-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R399CPXKSA1-ND
别名:SP000680738
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R380C6
仓库库存编号:
IPB60R380C6CT-ND
别名:IPB60R380C6CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL60R385CP
仓库库存编号:
IPL60R385CPCT-ND
别名:IPL60R385CPCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPD60R380C6ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.3A(Tc) 83W(Tc) TO-252-3
型号:
IPD60R400CEATMA1
仓库库存编号:
IPD60R400CEATMA1CT-ND
别名:IPD60R400CEATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 68A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 68A(Tc) 83W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH7787TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7787TRPBFCT-ND
别名:IRFH7787TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 800V 5.7A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU80R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPU80R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001593928
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 560V 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD08N50C3
仓库库存编号:
SPD08N50C3INCT-ND
别名:SPD08N50C3INCT
SPD08N50C3XTINCT
SPD08N50C3XTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD65R380E6BTMA1CT-ND
别名:IPD65R380E6BTMA1CT
IPD65R380E6CT
IPD65R380E6CT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R380E6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R380E6ATMA1-ND
别名:SP001117736
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC027N06LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC027N06LS5ATMA1-ND
别名:SP001385616
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.1A(Tc) 83W(Tc) Thin-Pak(8x8)
型号:
IPL65R420E6AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R420E6AUMA1-ND
别名:SP000895214
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 5.1A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI90R1K2C3XKSA1
仓库库存编号:
IPI90R1K2C3XKSA1-ND
别名:IPI90R1K2C3
IPI90R1K2C3-ND
SP000413724
SP000683080
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R380C6ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R380C6ATMA1CT-ND
别名:IPB65R380C6CT
IPB65R380C6CT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 560V 7.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI08N50C3XKSA1
仓库库存编号:
SPI08N50C3XKSA1-ND
别名:SP000680984
SPI08N50C3
SPI08N50C3-ND
SPI08N50C3IN
SPI08N50C3IN-ND
SPI08N50C3X
SPI08N50C3XK
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R380C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI60R380C6XKSA1-ND
别名:IPI60R380C6
IPI60R380C6-ND
SP000660630
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 560V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R399CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R399CPHKSA1-ND
别名:IPP50R399CP
IPP50R399CP-ND
SP000234985
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R399CPXKSA2
仓库库存编号:
IPI50R399CPXKSA2-ND
别名:IPI50R399CP
IPI50R399CP-ND
SP001109552
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB60R385CP
仓库库存编号:
IPB60R385CPCT-ND
别名:IPB60R385CPCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R380C6XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R380C6XKSA1-ND
别名:IPP65R380C6
IPP65R380C6-ND
SP000785082
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI65R380C6XKSA1
仓库库存编号:
IPI65R380C6XKSA1-ND
别名:IPI65R380C6
IPI65R380C6-ND
SP000785080
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 83W(Tc),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号