产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V D2PAK
型号：
IRF3314STRR
仓库库存编号：
IRF3314STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 8-SO
型号：
IRF7203TR
仓库库存编号：
IRF7203TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8-SO
型号：
IRF7423TR
仓库库存编号：
IRF7423TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 8-SO
型号：
IRF7426TR
仓库库存编号：
IRF7426TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET
详细描述：MOSFET
型号：
IRFC2604B
仓库库存编号：
IRFC2604B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD5N03LAG
仓库库存编号：
IPD5N03LAGINCT-ND
别名：IPD5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT
IPDH5N03LAGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta），50A（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC042N03ST
仓库库存编号：
BSC042N03ST-ND
别名：SP000014715
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta），89A（Tc） P-TDSON-8
型号：
BSC059N03ST
仓库库存编号：
BSC059N03ST-ND
别名：SP000014717
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V
型号：
IRFL4310PBF
仓库库存编号：
IRFL4310PBFCT-ND
别名：64-8037PBFCT
64-8037PBFCT-ND
648037PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 32A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 32A（Tc） DPAK
型号：
BUK9237-55,118
仓库库存编号：
BUK9237-55,118-ND
别名：934054956118
BUK9237-55 /T3
BUK9237-55 /T3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） TO-220AB
型号：
PHP47NQ10T,127
仓库库存编号：
PHP47NQ10T,127-ND
别名：934056744127
PHP47NQ10T
PHP47NQ10T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 75A（Tc） TO-220AB
型号：
PSMN004-60P,127
仓库库存编号：
PSMN004-60P,127-ND
别名：934057040127
PSMN004-60P
PSMN004-60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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NXP USA Inc.
DIODE BAND-SWITCHING SOD110
详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA SOD110
型号：
BA792,115
仓库库存编号：
BA792,115-ND
别名：934025520115
BA792 T/R
BA792 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE RF SW 50V 50MA SOD-323
详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 50mA PG-SOD323-2
型号：
BA 595 B6327
仓库库存编号：
BA 595 B6327-ND
别名：BA595B6327XT
SP000095921
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE RF SW 50V 50MA SOT-23
详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 50mA PG-SOT23-3
型号：
BA 779 E6327
仓库库存编号：
BA 779 E6327-ND
别名：BA779E6327XT
SP000010152
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE RF SW 35V 100MA TSLP-2
详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA TSLP-2-1
型号：
BA 892-02L E6327
仓库库存编号：
BA 892-02L E6327-ND
别名：BA89202LE6327XT
SP000013535
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE RF SW 35V 100MA SC-79
详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SC79-2
型号：
BA 892-02V E6127
仓库库存编号：
BA 892-02V E6127-ND
别名：BA89202VE6127XT
SP000104706
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE RF SW 35V 100MA SC-79
详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SC79-2
型号：
BA 892-02V E6327
仓库库存编号：
BA 892-02V E6327-ND
别名：BA89202VE6327XT
SP000013174
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE RF SW 35V 100MA SC-79
详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SC79-2
型号：
BA 892-02V E6433
仓库库存编号：
BA 892-02V E6433-ND
别名：BA89202VE6433XT
SP000013175
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80
详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SCD80-2
型号：
BA 892 E6127
仓库库存编号：
BA 892 E6127-ND
别名：BA892E6127XT
SP000104705
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80
详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SCD80-2
型号：
BA 892 E6327
仓库库存编号：
BA 892 E6327-ND
别名：BA892E6327XT
SP000010154
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80
详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SCD80-2
型号：
BA 892 E6433
仓库库存编号：
BA 892 E6433-ND
别名：BA892E6433XT
SP000010158
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
无铅
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Infineon Technologies
DIODE RF SW 35V 100MA SCD-80
详细描述：RF Diode Standard - Single 35V 100mA PG-SCD80-2
型号：
BA 892 L6327
仓库库存编号：
BA 892 L6327-ND
别名：BA892L6327XT
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产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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Infineon Technologies
DIODE RF SW 50V 50MA SCD-80
详细描述：RF Diode PIN - Single 50V 50mA PG-SCD80-2
型号：
BA 895 E6327
仓库库存编号：
BA 895 E6327-ND
别名：BA895E6327XT
SP000012458
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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MOSFET N-CH 100V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） TO-220AB
型号：
BTS110NKSA1
仓库库存编号：
BTS110NKSA1-ND
别名：BTS110
BTS110-ND
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