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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
  详细描述：MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
  
  型号：SCH1331-P-TL-H
  仓库库存编号：SCH1331-P-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
  详细描述：MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
  
  型号：SCH1331-S-TL-H
  仓库库存编号：SCH1331-S-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 3.5A SCH6
  详细描述：MOSFET N-CH 20V 3.5A SCH6
  
  型号：SCH1433-S-TL-H
  仓库库存编号：SCH1433-S-TL-H-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA
  详细描述：MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA
  
  型号：SFT1423-S-TL-E
  仓库库存编号：SFT1423-S-TL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V DPAK
  详细描述：MOSFET N-CH 60V DPAK
  
  型号：STD3155L104T4G
  仓库库存编号：STD3155L104T4G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2020ENG
  仓库库存编号：917-EPC2020ENG-ND
  别名：917-EPC2020ENG
  EPC2020ENGRB2
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 36A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
  
  型号：EPC2015CENGR
  仓库库存编号：917-EPC2015CENGRCT-ND
  别名：917-EPC2015CENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2029ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2029ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2029CENGRCT
  917-EPC2029CENGRCT-ND
  917-EPC2029CENGRTCT
  917-EPC2029CENGRTCT-ND
  917-EPC2029ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2031ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2031ENGR-ND
  别名：917-EPC2031ENGR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 48A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2032ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2032ENGR-ND
  别名：917-EPC2032ENGR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2033ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2033ENGR-ND
  别名：917-EPC2033ENGR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2034ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2034ENGR-ND
  别名：917-EPC2034ENGR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 25V BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15V 3.4A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2040ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2040ENGR-ND
  别名：917-EPC2040ENGR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 6.8A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2039ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2039ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2039ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 300V 150MO BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 4A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2025
  仓库库存编号：917-1125-1-ND
  别名：917-1125-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2022ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2022ENGRCT-ND
  别名：917-1140-1
  917-1140-1-ND
  917-EPC2022ENGRCT\
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• M/A-Com Technology Solutions
  COM RF SWITCH, 0805P
  详细描述：RF Diode PIN - Single 300V 200mA 0805P
  
  型号：MSWSE-044-10
  仓库库存编号：1702-1002-1-ND
  别名：1702-1002-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V SOT-223
  
  型号：ZXMP6A16GTA
  仓库库存编号：ZXMP6A16GTA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 21A（Ta） SUPER D2-PAK
  
  型号：IRFBL3315
  仓库库存编号：IRFBL3315-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 7.7A TO-220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 100V 7.7A（Ta） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI9530N
  仓库库存编号：IRFI9530N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 54A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103D2S
  仓库库存编号：IRL3103D2S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 54A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 54A（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL3103D2STRL
  仓库库存编号：IRL3103D2STRL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 24A TO-262
  详细描述：通孔 P 沟道 20V 24A（Tc） TO-262
  
  型号：IRL5602L
  仓库库存编号：IRL5602L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 24A TO-220AB
  详细描述：通孔 P 沟道 20V 24A（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL5602
  仓库库存编号：IRL5602-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 75A SOT223
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL1503
  仓库库存编号：IRLL1503-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） -,
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