产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
详细描述:MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
型号:
TK50E06K3(S1SS-Q)
仓库库存编号:
TK50E06K3(S1SS-Q)-ND
别名:TK50E06K3S1SSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 75V 50A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 50A(Tc) TO-220-3
型号:
TK50E08K3,S1X(S
仓库库存编号:
TK50E08K3S1X(S-ND
别名:TK50E08K3S1X(S
TK50E08K3S1XS
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
详细描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
型号:
TK50E10K3(S1SS-Q)
仓库库存编号:
TK50E10K3(S1SS-Q)-ND
别名:TK50E10K3S1SSQ
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 8-SOP(5.5x6.0)
型号:
TPC8A06-H(TE12LQM)
仓库库存编号:
TPC8A06-H(TE12LQM)-ND
别名:TPC8A06HTE12LQM
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 24A(Ta) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPCC8009,LQ(O
仓库库存编号:
TPCC8009LQ(O-ND
别名:TPCC8009LQ(O
TPCC8009LQO
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 330V 34A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 330V TO-220-3
型号:
FDP34N33
仓库库存编号:
FDP34N33-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3.2A(Ta) SOT-23-3
型号:
NSTR4501NT1G
仓库库存编号:
NSTR4501NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
详细描述:MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
型号:
NTBV25P06T4G
仓库库存编号:
NTBV25P06T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
详细描述:MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
型号:
NTBV30N20T4G
仓库库存编号:
NTBV30N20T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 45A(Ta) D2PAK
型号:
NTBV45N06T4G
仓库库存编号:
NTBV45N06T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
详细描述:MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
型号:
NTDV2955-1G
仓库库存编号:
NTDV2955-1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
详细描述:MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
型号:
NTDV2955PT4G
仓库库存编号:
NTDV2955PT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 51A(Tc) DPAK
型号:
NTDV5805NT4G
仓库库存编号:
NTDV5805NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
详细描述:MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
型号:
NTDV6414ANT4G
仓库库存编号:
NTDV6414ANT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.8A(Ta) 8-SOIC
型号:
NVMS4816NR2G
仓库库存编号:
NVMS4816NR2G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6A(Ta) 8-SOIC
型号:
NVMSD6N303R2G
仓库库存编号:
NVMSD6N303R2G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 20V 0.63A SC-88
详细描述:MOSFET 20V 0.63A SC-88
型号:
NVTJD4105CT1G
仓库库存编号:
NVTJD4105CT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88
详细描述:MOSFET P-CH 20V 0.88A SC-88
型号:
NVTJD4158CT1G
仓库库存编号:
NVTJD4158CT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88
详细描述:MOSFET N-CH 20V 0.63A SC-88
型号:
NVTJD4401NT1G
仓库库存编号:
NVTJD4401NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70
详细描述:MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70
型号:
NVTS4409NT1G
仓库库存编号:
NVTS4409NT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23
详细描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23
型号:
SBVS138LT1G
仓库库存编号:
SBVS138LT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH SPCL 100V DPAK
详细描述:MOSFET N-CH SPCL 100V DPAK
型号:
STD12N10T4G
仓库库存编号:
STD12N10T4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 25A(Tc) DPAK-3
型号:
STD25P03LT4G
仓库库存编号:
STD25P03LT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
详细描述:MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
型号:
NVTGS3455T1G
仓库库存编号:
NVTGS3455T1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
详细描述:N 沟道 30V
型号:
PHL5830AL,115
仓库库存编号:
568-9612-1-ND
别名:568-9612-1
PHL5830AL115
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) -,
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