产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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分立半导体产品
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3711PBF
仓库库存编号：
IRFU3711PBF-ND
别名：*IRFU3711PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3705ZSTRL
仓库库存编号：
IRL3705ZSCT-ND
别名：IRL3705ZSCT
IRL3705ZSCTL-ND
IRL3705ZSLCT
IRL3705ZSLCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 75A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3704TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3704PBFCT-ND
别名：*IRFR3704TRPBF
IRFR3704PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7807VD1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7807VD1PBFCT-ND
别名：*IRF7807VD1TRPBF
IRF7807VD1PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 28V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 28V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7811ATRPBF
仓库库存编号：
IRF7811APBFCT-ND
别名：*IRF7811ATRPBF
IRF7811APBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3714TRPBF
仓库库存编号：
IRLR3714PBFCT-ND
别名：*IRLR3714TRPBF
IRLR3714PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3707TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3707PBFCT-ND
别名：*IRFR3707TRPBF
IRFR3707PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7460TRPBF
仓库库存编号：
IRF7460PBFCT-ND
别名：*IRF7460TRPBF
IRF7460PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7805ATRPBF
仓库库存编号：
IRF7805APBFCT-ND
别名：*IRF7805ATRPBF
IRF7805APBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7471TRPBF
仓库库存编号：
IRF7471PBFCT-ND
别名：*IRF7471TRPBF
IRF7471PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7466TRPBF
仓库库存编号：
IRF7466PBFCT-ND
别名：*IRF7466TRPBF
IRF7466PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 44A（Tc） 62W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8503TRPBF
仓库库存编号：
IRLR8503PBFCT-ND
别名：*IRLR8503TRPBF
IRLR8503PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711PBF
仓库库存编号：
IRFR3711PBF-ND
别名：SP001552178
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 100A（Tc） 2.5W（Ta），120W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3711TRRPBF
仓库库存编号：
IRFR3711TRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TRLPBF
仓库库存编号：
IRLR3715TRLPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8103VTRRPBF
仓库库存编号：
IRLR8103VTRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 0.55A SOT416
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 550mA（Ta） 530mW（Tc） SC-75
型号：
PMR780SN,115
仓库库存编号：
PMR780SN,115-ND
别名：934057961115
PMR780SN T/R
PMR780SN T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3704STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3704STRLPBFCT-ND
别名：IRF3704STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 110A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3711STRLPBF
仓库库存编号：
IRF3711STRLPBFCT-ND
别名：IRF3711STRLPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3716SPBF
仓库库存编号：
IRL3716SPBF-ND
别名：SP001568304
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3714STRRPBF
仓库库存编号：
IRL3714STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3709STRRPBF
仓库库存编号：
IRF3709STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3707STRRPBF
仓库库存编号：
IRF3707STRRPBF-ND
别名：SP001564624
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715STRRPBF
仓库库存编号：
IRL3715STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3716STRRPBF
仓库库存编号：
IRL3716STRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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