产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715TR
仓库库存编号：
IRL3715TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715TRL
仓库库存编号：
IRL3715TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715TRR
仓库库存编号：
IRL3715TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3714TRL
仓库库存编号：
IRLR3714TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 36A（Tc） 47W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3714TRR
仓库库存编号：
IRLR3714TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TR
仓库库存编号：
IRLR3715TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TRL
仓库库存编号：
IRLR3715TRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 54A（Tc） 3.8W（Ta），71W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3715TRR
仓库库存编号：
IRLR3715TRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8103VTRL
仓库库存编号：
IRLR8103VTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 91A（Tc） 115W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8103VTRR
仓库库存编号：
IRLR8103VTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3716
仓库库存编号：
IRL3716-ND
别名：*IRL3716
Q1265959
SP001568284
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 180A（Tc） 210W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3716S
仓库库存编号：
IRL3716S-ND
别名：*IRL3716S
Q1282555
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），55A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? ST
型号：
IRF6608
仓库库存编号：
IRF6608CT-ND
别名：*IRF6608
IRF6608CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 16A（Tc） 35W（Tc） D-Pak
型号：
64-4051
仓库库存编号：
64-4051-ND
别名：*IRLR024Z
IRLR024Z
IRLR024Z-ND
SP001517034
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR2905Z
仓库库存编号：
IRLR2905Z-ND
别名：*IRLR2905Z
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ44ZS
仓库库存编号：
IRLZ44ZS-ND
别名：*IRLZ44ZS
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3705Z
仓库库存编号：
IRL3705Z-ND
别名：*IRL3705Z
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 130W（Tc） TO-262
型号：
IRL3705ZL
仓库库存编号：
IRL3705ZL-ND
别名：*IRL3705ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU2905Z
仓库库存编号：
IRLU2905Z-ND
别名：*IRLU2905Z
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ44Z
仓库库存编号：
IRLZ44Z-ND
别名：*IRLZ44Z
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 80W（Tc） TO-262
型号：
IRLZ44ZL
仓库库存编号：
IRLZ44ZL-ND
别名：*IRLZ44ZL
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 5A（Tc） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRLL024Z
仓库库存编号：
IRLL024Z-ND
别名：*IRLL024Z
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 42A（Tc） 130W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR3705Z
仓库库存编号：
IRLR3705Z-ND
别名：*IRLR3705Z
SP001568520
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 55V 42A（Tc） 130W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU3705Z
仓库库存编号：
IRLU3705Z-ND
别名：*IRLU3705Z
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 110A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 110A（Tc） 140W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU8203PBF
仓库库存编号：
IRLU8203PBF-ND
别名：*IRLU8203PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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