产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5W(Ta),46.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-12P-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-12P-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5W(Ta),40.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-16P-E3
仓库库存编号:
SUD50N03-16P-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.5W(Ta),40.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N03-16P-GE3
仓库库存编号:
SUD50N03-16P-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 115A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 115A(Tc) 136W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N04-05L-E3
仓库库存编号:
SUD50N04-05L-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 110A(Tc) 3.75W(Ta),375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM110N03-03P-E3
仓库库存编号:
SUM110N03-03P-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 40A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 40A(Tc) 3.75W(Ta),83W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM40N02-12P-E3
仓库库存编号:
SUM40N02-12P-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 70A(Tc) 3.75W(Ta),93W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70N03-09CP-E3
仓库库存编号:
SUM70N03-09CP-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 70A(Tc) 3.75W(Ta),100W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SUM70N04-07L-E3
仓库库存编号:
SUM70N04-07L-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 36A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 36A(Tc) 2W(Ta),125W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP40P10-43-GE3
仓库库存编号:
SUP40P10-43-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 45A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 45A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP45N03-13L-E3
仓库库存编号:
SUP45N03-13L-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 20V 60A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60N02-4M5P-E3
仓库库存编号:
SUP60N02-4M5P-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60N10-16L-E3
仓库库存编号:
SUP60N10-16L-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
详细描述:通孔 P 沟道 40V 65A(Tc) 3.75W(Ta),120W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP65P04-15-E3
仓库库存编号:
SUP65P04-15-E3-ND
别名:SUP65P0415E3
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 30V 85A(Tc) 3.75W(Ta),166W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP85N03-04P-E3
仓库库存编号:
SUP85N03-04P-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP85N04-03-E3
仓库库存编号:
SUP85N04-03-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP85N10-10-E3
仓库库存编号:
SUP85N10-10-E3TR-ND
别名:SUP85N10-10-E3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 85A(Tc) 3.75W(Ta),250W(Tc) TO-220AB
型号:
SUV85N10-10-E3
仓库库存编号:
SUV85N10-10-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 385mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
TP0202K-T1-GE3
仓库库存编号:
TP0202K-T1-GE3-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 14A(Ta),75A(Tc) 3.6W(Ta),107W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5834NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5834NLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9A, 5.7A 1.5W Surface Mount 8-SOIC
型号:
NTMD5836NLR2G
仓库库存编号:
NTMD5836NLR2GOSCT-ND
别名:NTMD5836NLR2GOSCT
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 9.2A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS5835NLR2G
仓库库存编号:
NTMS5835NLR2GOSCT-ND
别名:NTMS5835NLR2GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 5.8A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
NTMS5838NLR2G
仓库库存编号:
NTMS5838NLR2GOSCT-ND
别名:NTMS5838NLR2GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 28A(Ta),172A(Tc) 3.2W(Ta),125W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5830NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5830NLT1G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 2.7A(Ta) 500mW(Ta) SuperSOT-3
型号:
FDN359BN
仓库库存编号:
FDN359BNFSCT-ND
别名:FDN359BNFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 6.2A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI9410BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI9410BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9410BDY-T1-E3CT
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