产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.1A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4825DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4825DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4825DY-T1-GE3CT
SI4825DYT1GE3
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5435BDC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5435BDC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5435BDC-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6459BDQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6459BDQ-T1-GE3CT-ND
别名：SI6459BDQ-T1-GE3CT
SI6459BDQT1GE3
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 13A（Ta） 1.7W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7366DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7366DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7366DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 13A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7459DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7459DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7459DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7483ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7483ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7483ADP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 7A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7945DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7945DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7945DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7958DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7958DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7958DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.2A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7960DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7960DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7960DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 9A, 6.5A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
型号：
FDD8424H_F085
仓库库存编号：
FDD8424H_F085CT-ND
别名：FDD8424H_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 7.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
NDS8435A
仓库库存编号：
NDS8435A-ND
别名：Q4210279C
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 17.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 17.7A（Ta），30A（Tc） 3.7W（Ta），39W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6776A
仓库库存编号：
FDD6776ACT-ND
别名：FDD6776ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 12A（Ta），10A（Tc） 3.7W（Ta），24W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6778A
仓库库存编号：
FDD6778ACT-ND
别名：FDD6778ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 16.4A（Ta），30A（Tc） 3.7W（Ta），32.6W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6780A
仓库库存编号：
FDD6780ACT-ND
别名：FDD6780ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 20A（Ta） 3.7W（Ta），31W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6782A
仓库库存编号：
FDD6782ACT-ND
别名：FDD6782ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4.9A（Ta） 750mW（Ta） 8-SOIC
型号：
NTMS4800NR2G
仓库库存编号：
NTMS4800NR2G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.2A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3
型号：
DMN3050S-7
仓库库存编号：
DMN3050SDICT-ND
别名：DMN3050SDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 5.2A（Ta），25A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
型号：
FDD45AN06LA0
仓库库存编号：
FDD45AN06LA0CT-ND
别名：FDD45AN06LA0CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS8962C
仓库库存编号：
FDS8962CCT-ND
别名：FDS8962CCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Ta） 68W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB6670AL
仓库库存编号：
FDB6670AL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS7760A
仓库库存编号：
FDS7760A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
NDS8410A
仓库库存编号：
NDS8410A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 90A（Ta） 85W（Tc） D2PAK
型号：
NTB90N02T4G
仓库库存编号：
NTB90N02T4GOSCT-ND
别名：NTB90N02T4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 11.4A（Ta），78A（Tc） 1.4W（Ta），64W（Tc） DPAK
型号：
NTD78N03T4G
仓库库存编号：
NTD78N03T4GOSCT-ND
别名：NTD78N03T4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 80A（Tc） 75W（Tc） DPAK
型号：
NTD80N02T4G
仓库库存编号：
NTD80N02T4GOSCT-ND
别名：NTD80N02T4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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