产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 11A DFN5
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），55A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B14NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS6B14NLT1GOSCT-ND
别名：NVMFS6B14NLT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 P Z -30V/-25V ZENER POWERTRE
详细描述：表面贴装 P 沟道 54A（Tc） 30W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC013P030Z
仓库库存编号：
FDMC013P030Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7384DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7384DP-T1-E3TR-ND
别名：SI7384DP-T1-E3TR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 25V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 3.7W（Ta），42W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6796A
仓库库存编号：
FDD6796ACT-ND
别名：FDD6796ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7636DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7636DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 37.1A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252
型号：
SUD50P10-43L-GE3
仓库库存编号：
SUD50P10-43L-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4413ADY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4413ADY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7390DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7390DP-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7390DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7390DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
型号：
SIE822DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE822DF-T1-E3TR-ND
别名：SIE822DF-T1-E3TR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.3W（Ta）, 104W（Tc） TO-220AB
型号：
DMT6005LCT
仓库库存编号：
DMT6005LCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
详细描述：表面贴装 P 沟道 50A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD50P06-15L-T4-E3
仓库库存编号：
SUD50P06-15L-T4-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SUD40N10-25-T4-E3
仓库库存编号：
SUD40N10-25-T4-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
型号：
SIE832DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE832DF-T1-E3CT-ND
别名：SIE832DF-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），300A（Tc） 3.33W（Ta）, 125W（Tc） Power56
型号：
FDMS8350LET40
仓库库存编号：
FDMS8350LET40-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A 10-POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE812DF-T1-E3
仓库库存编号：
SIE812DF-T1-E3TR-ND
别名：SIE812DF-T1-E3TR
SIE812DFT1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE812DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE812DF-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8860
仓库库存编号：
FDB8860CT-ND
别名：FDB8860CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD40N06-25L-GE3
仓库库存编号：
SQD40N06-25L-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH4005SCTQ
仓库库存编号：
DMNH4005SCTQ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B05NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS6B05NLT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 21.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 21.5A（Ta），140A（Tc） 2.1W（Ta），500W（Tc） TO-220
型号：
AOT270L
仓库库存编号：
785-1439-5-ND
别名：785-1439-5
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8W（Ta）, 165W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS6B05NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS6B05NLWFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 165W（Tc） TO-220AB
型号：
DMNH4005SCT
仓库库存编号：
DMNH4005SCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE818DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE818DF-T1-GE3CT-ND
别名：SIE818DF-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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