产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 22A（Ta），100A（Tc） 2.6W（Ta）, 138W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH6004LPS-13
仓库库存编号：
DMTH6004LPS-13DI-ND
别名：DMTH6004LPS-13DI
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 100A
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 227W（Tj） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD9407L_F085
仓库库存编号：
FDD9407L_F085CT-ND
别名：FDD9407L_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4916DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4916DY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
PT8 N-CH 40/20V POWER TRENCH MOS
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 27A（Ta），141A（Tc） 2.8W（Ta），75W（Tc） Power33
型号：
FDMC8360LET40
仓库库存编号：
FDMC8360LET40-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 14A U8FL
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 6A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5116PLWFTAG
仓库库存编号：
NVTFS5116PLWFTAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 5.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4925BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4925BDY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4943CDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4943CDY-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 2.3W PowerDI5060-8
型号：
DMT6002LPS-13
仓库库存编号：
DMT6002LPS-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Ta） 2.6W（Ta）, 138W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMTH6004LPSQ-13
仓库库存编号：
DMTH6004LPSQ-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 25V 27A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 27A（Ta），50A（Tc） 3.7W（Ta），65W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6760A
仓库库存编号：
FDD6760ACT-ND
别名：FDD6760ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16.5A（Tc） 2.5W（Ta），4.45W（Tc） 8-SO
型号：
SI4884BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4884BDY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 2.6A 1.7W Surface Mount 8-SO
型号：
HTMN5130SSD-13
仓库库存编号：
HTMN5130SSD-13DITR-ND
别名：HTMN5130SSD-13DI
HTMN5130SSD-13DI-ND
HTMN5130SSD-13DITR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 60A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR846ADP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR846ADP-T1-RE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8.8A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4425BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4425BDY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4936ADY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4936ADY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7384DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7384DP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 20.5A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 20.5A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
型号：
SI4124DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4124DY-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
型号：
SI4874BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4874BDY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 6.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4943BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4943BDY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7840BDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7840BDP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号：
SI7905DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7905DN-T1-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7872DP-T1-E3
仓库库存编号：
SI7872DP-T1-E3TR-ND
别名：SI7872DP-T1-E3TR
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7872DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7872DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7872DP-T1-GE3CT
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR870ADP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIR870ADP-T1-RE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA,
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 60V 100A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2.8W（Ta），125W（Tc） TO-220AB
型号：
DMTH6005LCT
仓库库存编号：
DMTH6005LCT-ND
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